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碳化硅SiC氮化镓GaN器件参数测试仪系统
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GaN靶
产品名称: GaN靶材产品简介: 常规参数:常规尺寸:dia15x3.0mm ;常规纯度:>4N; 标准包装:1000级超净室100级超净袋包装
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牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀 应用射频器件低损伤GaN刻蚀
我们的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。
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氮化镓(GaN)薄膜
GaN的模板是成本效益的方法,以取代氮化镓单晶基板。 技术参数: 常规尺寸dia50.8±1mm x 4um,10-25um.dia100±1mm x 4um,10-25um. ±1
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牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用射频器件低损伤GaN刻蚀
PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。
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非极性GaN晶体基片
产品名称:非极性氮化镓(GaN)晶体基片产品简介:技术参数:晶体定位面:A plane +/-1;M plane +/-1°.传导类型:N型;半绝缘型电阻率:R106Ω.cm表面粗糙度:
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氮化镓(GaN)晶体基片
产品名称:氮化镓(GaN)晶体基片产品简介:GaN易与AlN、InN等构成混晶,能制成各种异质结构,已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高,有效地屏蔽了
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Agilent 热脱附 (TD) 分析技术
热脱附 (TD) 分析技术可用于测量空气、玩具、建筑材料、汽车车厢和食品中的挥发性污染物。该分析技术也能为法医学、国防和常规排放测试提供独特的分析。
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岛津GCMS NX系列智能钟技术
,可以最大程度减少因等待时间安排不合理而导致的停机时长。 ClickTek智能锁技术令进样口的维护徒手完成,智能判断最佳气密点,更换衬管更加快捷方便。3、连续分析的时间管理 软件实时显示
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离子淌度差分质谱技术
AB SCIEX公司2011年zei新推出了SelexIONTM 技术。该技术解决了现有同类型仪器设计的不足,保留了串联质谱所有的功能,是首个获得高重现性、耐用性及易用性的离子淌度差分质谱分离
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