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EVG 850 SOI的自动化生产键合系统
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EVG 850 LT Bonding System for SOI Wafer Bonding 晶圆键合
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SOI基片(Si+SiO2+Si)
产品名称:SOI基片(Si+SiO2+Si)常规尺寸:dia4" 镀膜层:20um Si P/B + 2umSiO2+500um Si undoped 技术参数:国产SOI:膜层厚度可以按照客户需求
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SOI键合EVG®810 LT+EVG®301
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牛津仪器Etch刻蚀工艺
施刻蚀硅低温刻蚀Si—低温刻蚀硅混合刻蚀Si—八氟环丁烷-六氟化硫刻蚀硅HBr刻蚀Si—溴化氢刻蚀硅各向同性刻蚀Si—硅的各向同性刻蚀刻蚀SiGe——刻蚀锗硅绝缘层上的硅(SOI)的多层刻蚀
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EVG800系列键合机:EVG810LT(低温)等离子激活系统
清洗机、基片检测系统、SOI 基片键合系统、基片临时键合/分离系统、纳米压印系统。目前已有数千台设备安装在世界各地,被广泛地应用于MEMS微机电系统/微流体器件,SOI基片制造,3D封装,纳米压印
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EVG810LT系列 LowTemp(低温)等离子激活系统
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膜厚测量仪FE-3
稳定性白色LED光源测量项目多层膜膜厚解析用途光学薄膜(硬涂层,AR膜,ITO等)FPD相关(resist,SOI,SiO2等)膜厚量测仪FE-3测试实例
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EVG 810 LT LowTemp™ Plasma Activation System等离子激活系统
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牛津仪器PlasmaPro 100 PECVD等离子体增强化学气相沉积系统
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