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原子层沉积系统
, NbN, TaN, Ta3N5, MoN, WN, TiSiN, SiN等 单一物质: Si, Ge, Cu, Mo, W, Ta, Ru等 半导体材料: GaAs, Si, InAs
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原子层沉积系统(ALD&PEALD
(ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5); 13) 防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5); 14) 电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS
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超高真空集成原子层沉积系统 UHV ALD
温度范围:RT~400°C 精度:土1°C(可定制);前驱体路数:最大支持6路前驱体气路(可定制),包含固、液态前驱体源瓶
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Angstrom Dep III等离子体增强原子层沉积系统(PEALD
, TiO2);11) OLED钝化层 (Al2O3);12) 光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);13) 防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5
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