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、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)Notch
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系统(DAS),LTE,VSAT,5G和蜂窝网络环境中的各种应用。商品特点:·电池供电·超紧凑的外形,真正手持式·敏感度-90 dBm @ RBW = 10 MHz *即-160dBm/Hz·电阻式
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Compact专为微波网络工程师***为舒适的户外使用而设计,还可以用于分布式天线系统(DAS),LTE,VSAT,5G和蜂窝网络环境中的各种应用。商品特点:·电池供电·超紧凑的外形,真正手持式·敏感度-90
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计,还可以用于分布式天线系统(DAS),LTE,VSAT,5G和蜂窝网络环境中的各种应用。商品特点:·电池供电·超紧凑的外形,真正手持式·敏感度-100 dBm @ RBW=100kHz即-150dBm
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陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体分立器件静态参数测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦等多种电子元器件的静态直流参数和IV曲线(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs
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陕西天士立科技有限公司/STD2000/分立器件参数测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多电子元器件的静态直流参数和IV曲线(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDS
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陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体分立器件参数测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多电子元器件的静态直流参数和IV曲线(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/
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陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体器件参数测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多电子元器件的静态直流参数和IV曲线(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lD
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陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体IV特性曲线追踪仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多电子元器件的静态直流参数和IV曲线(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/
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陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体特性曲线图示仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多电子元器件的静态直流参数和IV曲线(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lD