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卓立汉光硅光电探测器
仪器简介: 硅光电探测器(Si) ———室温型探测器,波长范围:200-1100nm 技术参数: 型号列表及主要技术指标: 技术指标\型号名称
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AMPTEKX射线/X光硅漂移探测器XR-100SDD
XR-100SDD型X射线硅漂移探测器125eV的能量分辨率!采用电冷技术;无需液氮!图1. XR-100型硅漂移探测器及配套电源PX5 图2. 硅漂移探头元件示意图 XR-100SDD
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卓立汉光铟镓砷探测器
仪器简介:■ 常温型铟镓砷探测器(InGaAs) ―――常温型近红外探测器,波长范围:0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器(InGaAs) ――TE制冷型近红外探测器,波长范围
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卓立汉光硫化铅探测器
: ● DPbS2900和DPbS3200硫化铅探测器为光导型红外探测器,使用时必须配合锁相放大器,推荐使用SR830型(Page98)或Model 420型(Page97
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卓立汉光锑化铟探测器
仪器简介: ■ 锑化铟探测器(InSb) ———液氮制冷型红外探测器,波长范围:1~5.5μm 技术参数: 型号列表及主要技术指标: 型号/参数 DInSb5-De01
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卓立汉光碲镉汞探测器
仪器简介: ■ 碲镉汞探测器(HgCdTe) ———液氮制冷型红外探测器,波长范围:2~22μm。 技术参数: ■ 碲镉汞探测器(HgCdTe) 型号/参数
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卓立汉光砷化铟探测器
仪器简介: ■ 砷化铟探测器(InAs) ———近红外探测器 波长范围:1-3.8μm 技术参数: 主要技术指标 型号/参数
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AMPTEK-超快型X射线/X光硅漂移探测器
下一代硅漂移探测器 (Next Generation SDD)超快型硅漂移探测器 (Super Fast SDD) 10倍通量 & 不损失任何分辨率 能量分辨率(FWHM,[eV])峰化时间(微秒
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光伏型碲镉汞MCT探测器
MCT探测器光伏型 MCT 探测器光谱响应范围在0.5µm-5µm。 有效探测面直径 可选制冷 截止波长 J19:2.8
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卓立汉光DSi系列硅光电探测器
产品概述DSi系列硅光电探测器——室温型探测器,使用范围:200-1100nm两种型号的探测器室的外观相同,其中:● DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器● DSi300型内装进口蓝光增强型硅光电
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