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光电探测器APD
光电探测器-APD自Laser Components公司成立以来,已经有多年的APD研发和生产经验。目前LC公司可以提供高中低档的各型APD探测器及附件。Si-APD 主要型号及参数
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黑硅光电探测器
ElFys 提供一系列高性能黑硅光电二极管。该光电探测器是通过采用表面纳米结构技术与原子层沉积涂层相结合,大大提高了光收集效率。在 200 nm 至 950 nm 范围内具有近乎完美的光响应
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卓立汉光硅光电探测器
仪器简介: 硅光电探测器(Si) ———室温型探测器,波长范围:200-1100nm 技术参数: 型号列表及主要技术指标: 技术指标\型号名称
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卓立汉光DSi系列硅光电探测器
产品概述DSi系列硅光电探测器——室温型探测器,使用范围:200-1100nm两种型号的探测器室的外观相同,其中:● DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器● DSi300型内装进口蓝光增强型硅光电
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卓立汉光光电倍增管探测器
内置多种型号的侧窗型光电倍增管 技术参数: ■ PMTH-S1-(x)系列侧窗型光电倍增管 产品选型表 型号 名称、规格描述 输出信号极性 光电
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SI APD雪崩光电探测器
SI APD雪崩光电探测器AD100-8 TO圆形有源区APD芯片直径为100μm。 该装置为透明玻璃窗的密封TO52包装。其中根据定制要求,两种TO52类型可供选择。产品特征:APD具有
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卓立汉光光电探测器光谱响应度标定系统
是表征光电探测器性能的一个重要参数指标。另外,对于光电材料的科研工作,通过测量并分析光电材料的光谱响应度数据,可以进一步得出材料本身的各项特性,从而对于优选材料、改进工艺具有指导性意义。根据用户对于
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FHT 762型宽能中子探测器
由美国LosAlamos国家实验室和San Jose大学等研发的能量范围从热中子到5 GeV的宽能中子探测器,符合H*(10) ICRP74,并在1996年获得了美国国家专利 (专利号
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昊量光电Bolometer探测器
能量激发和释放,从而进行与入射辐射的能量相对应的电阻变化的测量。Bolometer探测器对这种温度变化作出反应的速度取决于几个因素,如果需要,这些参数可以在系统订购时改变。所有复合硅Bolometer
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Unity BEX成像探测器
为什么BEX技术正在重新定义成像标准?Unity BEX成像系统提供了快速、准确、高分辨率的彩色成像技术解决方案。Unity探测器融背散射电子与X射线传感器于一体,整体位于极靴正下方。这种独特的设计
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