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牛津仪器Etch刻蚀工艺
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓刻蚀GaN—刻蚀氮化镓刻蚀
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牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀
我们的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。
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牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备
PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。
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牛津仪器PlasmaPro100 Estrelas刻蚀设备 高刻蚀速率腔刻蚀
品牌:牛津仪器型号:PlasmaPro100 Estrelas产地:欧洲PlasmaPro 100 Estrelas 平台旨在提供深硅蚀刻(DSiE)领域的全方位的灵活性以满足微电子
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牛津仪器Etch刻蚀工艺 应用硅
电介质刻蚀(Ta2O5)—五氧化二钽刻蚀Al2O3—刻蚀氧化铝—感应耦合等离子体刻蚀蓝宝石GST刻蚀- 锗锑碲化物的ICP刻蚀技术感应耦合等离子体刻蚀Bi2Te3—刻蚀碲化铋反应离子刻蚀ITO—刻蚀
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牛津仪器Etch刻蚀工艺 应用金属
牛津仪器Etch刻蚀工艺 有了在刻蚀工艺发展上无比广泛的经验和我们应用工程师的支持, 牛津仪器向世界范围内的生产商和研发者提供刻蚀工艺解决方案的经验向我们提供了强大的刻蚀工艺库和刻蚀工艺能力。请与
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牛津仪器PlasmaPro100 Estrelas刻蚀设备 锥形通孔刻蚀
纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展,PlasmaPro 100 Estrelas 提供了工艺灵活性。光滑侧壁工艺高刻蚀速率腔刻蚀高深宽比工艺锥形通孔刻蚀广泛的应用领域机械或静电压盘
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牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀 应用VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
我们的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。
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牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。
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牛津仪器Etch刻蚀工艺 应用有机物
品牌:牛津仪器型号:Etch产地:欧洲有了在刻蚀工艺发展上无比广泛的经验和我们应用工程师的支持, 牛津仪器向世界范围内的生产商和研发者提供刻蚀工艺解决方案的经验向我们提供了强大的刻蚀工艺库和刻蚀工艺
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