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KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用
上海伯东代理美国 KRi 考夫曼离子源适用于安装在 MBE 分子束外延, 溅射和蒸发系统, PLD 脉冲激光系统等, 在沉积前用离子轰击表面, 进行预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面
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KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用
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KRI 考夫曼离子源 KDC 100
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美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160
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美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 40
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美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 10
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美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 75
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 用于铝表面溅射沉积 ZrN 薄膜
河北某大学研究室为了研究磁控溅射时间和氮气流量对 ZrN 薄膜色度的影响, 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助在铝表面溅射沉积ZrN 薄膜 KRI 射频离子源 RFICP380
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上海伯东KRI 考夫曼离子源 RPICP 140
KRI Ion Source RFICP 140, Gridded RF Ion SourceKRI Ion Source RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源,非常适合于离子束溅射沉积、离子
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上海伯东KRI 考夫曼离子源 RPICP 200
KRI Ion Source RFICP 200, Gridded RF Ion SourceKRI Ion Source RFICP 200 是一款大型的有栅极离子源,离子能量范围 100~1000
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