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牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀 应用射频器件低损伤GaN刻蚀
我们的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。
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牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用射频器件低损伤GaN刻蚀
PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。
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安东帕Nova系列比表面和孔径分析仪 测量硅基类材料的孔径分布
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Fluorolog-3 模块式荧光光谱仪堀场HORIBAHORIBA 可检测GaN
堀场HORIBA分子荧光Fluorolog-3 模块式荧光光谱仪用于测定GaN,符合行业标准0。适用发射光谱,激发光谱项目。 超连续激光光源液氮杜瓦瓶HPLC流通池光纤导入支架多芯光纤四位电磁搅拌
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碳化硅SiC氮化镓GaN器件参数测试仪系统
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GaN靶
产品名称: GaN靶材产品简介: 常规参数:常规尺寸:dia15x3.0mm ;常规纯度:>4N; 标准包装:1000级超净室100级超净袋包装
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氮化镓(GaN)薄膜
产品名称:氮化镓(GaN)薄膜产品简介:氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延(HVPE)的方法。在HVPE过程中,盐酸反应生成GaCl,而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延
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塞默飞CTS™ Neurobasal™ 培养基
Gibco™CTS™ Neurobasal™ 培养基货号: A1371201CTS Neurobasal 培养基专为转化干细胞研究人员而设计。配合 B-27 补充剂一起使用时,其可用于培养产前神经元
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耶拿 Fastblot B34 半干转印系统 新型增塑的碳基和生物惰性材料防止腐蚀
地转移到载体膜上。同时,确保整个转移膜表面上的温度分布均匀。•对于蛋白质的快速半干印迹高达150 KDa•基于碳电极•16×20厘米印迹区•Fastblot B34电极的新型增塑的碳基和生物惰性材料
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MARS III流变仪模块化工作站 HAAKE 应用于机械设备
点击查看下载MARS III流变仪模块化工作站 HAAKE 应用于机械设备相关资料,进一步了解产品。 材料物性表征部 主机性能单位MARSIII最小扭矩µN.m0.003最大扭矩mNm200扭矩
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