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氮化镓(GaN)晶体基片
产品名称:氮化镓(GaN)晶体基片产品简介:GaN易与AlN、InN等构成混晶,能制成各种异质结构,已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高,有效地屏蔽了
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