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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 用于铝表面溅射沉积 ZrN 薄膜
河北某大学研究室为了研究磁控溅射时间和氮气流量对 ZrN 薄膜色度的影响, 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助在铝表面溅射沉积ZrN 薄膜 KRI 射频离子源 RFICP380
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mini型磁控溅射仪
mini型磁控溅射仪KT-Z1650PVD,桌面式设计小巧却功能齐全。触摸屏控制功率,样品台0-8转/分旋转,自动电动样品挡板等。
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Angstrom Dep III等离子体增强原子层沉积系统(PEALD
) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5);5) 纳米结构 (All ALD Material);6) 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN);7) ALD
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原子层沉积系统(ALD&PEALD
); 6) 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN); 7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni); 8) 压电层 (ZnO
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原子层沉积系统(ALD
: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ... 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ... 金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu
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超高真空集成原子层沉积系统 UHV ALD
温度范围:RT~400°C 精度:土1°C(可定制);前驱体路数:最大支持6路前驱体气路(可定制),包含固、液态前驱体源瓶
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