俄歇电子能谱(AES)
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俄歇电子能谱 AES
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俄歇电子能谱专用
feedthrough ELS5000型:(俄歇电子能谱专用) ¨ Ideal for Static Auger Electron Spectroscopy AES ¨ Beam Energy
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俄歇电子能谱仪
仪器简介:美国专利 日本技术 90%市场占有率 是金属/半导体材料研发和故障分析的有力工具。空间分辨率高,信息深度5纳米以内技术参数:俄歇电子能谱仪 • He以上所有元素纳米(约
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俄歇电子能谱仪(AES)
产品介绍: •产品名称:俄歇电子能谱仪(AES) •产品型号:AER-200 •品 牌:日美纳米表面分析仪器公司(U-P) •产 地:日本 产品参数
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岛津/Kratos X射线光电子能谱仪AXIS SUPRA+
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PHI 710俄歇电子能谱仪
PHI710主要特点:l SEM分辨率≤ 3 nm, AES分辨率≤ 8 nm在俄歇能谱的采集分析过程中,包括谱图,深度剖析及元素分布像,需要先在SEM图像上定义样品分析区域,必然要求束斑直径
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/Kratos X射线光电子能谱仪岛津AXIS SUPRA+ 岛津XPS技术表征石墨烯薄膜的厚度
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X光电子能谱XPSAXIS SUPRA+岛津 可检测石墨烯薄膜
传输器、催化反应池等)和可拓展多种表面分析技术,如紫外光电子能谱(UPS),离子散射谱(ISS),反射电子能量损失谱(REELS),俄歇电子能谱和扫描俄歇电子显微镜(AES和SAM)等等AXIS
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AXIS SUPRA+岛津/Kratos X射线光电子能谱仪 适用于厚度
功能附件(惰性气体传输器、催化反应池等)和可拓展多种表面分析技术,如紫外光电子能谱(UPS),离子散射谱(ISS),反射电子能量损失谱(REELS),俄歇电子能谱和扫描俄歇电子显微镜(AES和SAM
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AXIS SUPRA+/Kratos X射线光电子能谱仪岛津 不同氩离子刻蚀模式对膜材料深度分析中元素化学态的影响
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