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Symmetry 探测器EBSD系统牛津仪器 半导体器件综合分析
一代EBSD探测器,拥有空前的性能和易用性: 实时标定速度高达3000点/秒 相比传统CCD技术探测器速度提高30倍以上 为低束流和低电压分析提供了极高的灵敏度 百万像素高分辨率EBSD
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牛津仪器Ultim Max硅漂移型探测器 低噪音电子元器件
探测x及γ射线时必须保持在低温(77k)和真空中工作。 Ultim Max是新一代硅漂移型探测器(SDD),配有大面积晶体和低噪音电子元器件,分析速度和探测灵敏性都有大幅提升。 Ultim
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卓立汉光硅光电探测器
仪器简介: 硅光电探测器(Si) ———室温型探测器,波长范围:200-1100nm 技术参数: 型号列表及主要技术指标: 技术指标\型号名称
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AMPTEKX射线/X光硅漂移探测器XR-100SDD
XR-100SDD型X射线硅漂移探测器125eV的能量分辨率!采用电冷技术;无需液氮!图1. XR-100型硅漂移探测器及配套电源PX5 图2. 硅漂移探头元件示意图 XR-100SDD
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DSR300卓立汉光微纳器件光谱响应度测试系统
产品概述DSR300微纳器件光谱响应度测试系统专门用于低微材料光电测试。系统功能全面,可进行多种重要参数测试。系统集成高精度光谱扫描,光电流扫描和光响应速率测试。探测光斑为40μm,可实现对百微米级
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卓立汉光铟镓砷探测器
仪器简介:■ 常温型铟镓砷探测器(InGaAs) ―――常温型近红外探测器,波长范围:0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器(InGaAs) ――TE制冷型近红外探测器,波长范围
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卓立汉光砷化铟探测器
仪器简介: ■ 砷化铟探测器(InAs) ———近红外探测器 波长范围:1-3.8μm 技术参数: 主要技术指标 型号/参数
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卓立汉光硫化铅探测器
: ● DPbS2900和DPbS3200硫化铅探测器为光导型红外探测器,使用时必须配合锁相放大器,推荐使用SR830型(Page98)或Model 420型(Page97
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卓立汉光锑化铟探测器
仪器简介: ■ 锑化铟探测器(InSb) ———液氮制冷型红外探测器,波长范围:1~5.5μm 技术参数: 型号列表及主要技术指标: 型号/参数 DInSb5-De01
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卓立汉光碲镉汞探测器
仪器简介: ■ 碲镉汞探测器(HgCdTe) ———液氮制冷型红外探测器,波长范围:2~22μm。 技术参数: ■ 碲镉汞探测器(HgCdTe) 型号/参数
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