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牛津仪器PlasmaPro100 Estrelas刻蚀设备 高刻蚀速率腔刻蚀
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牛津仪器PlasmaPro100 Estrelas刻蚀设备 锥形通孔刻蚀
纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展,PlasmaPro 100 Estrelas 提供了工艺灵活性。光滑侧壁工艺高刻蚀速率腔刻蚀高深宽比工艺锥形通孔刻蚀广泛的应用领域机械或静电压盘
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牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀 应用VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
我们的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。
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牛津仪器Etch刻蚀工艺
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牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀 应用射频器件低损伤GaN刻蚀
我们的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。
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牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用射频器件低损伤GaN刻蚀
PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。
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牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用固体激光器InP刻蚀
PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。
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牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用III-V族材料的刻蚀工艺
PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。
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牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用硅 Bosch和超低温刻蚀工艺
PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。
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牛津仪器Etch刻蚀工艺牛津仪器
硒化锌电介质刻蚀(Ta2O5)五氧化二钽刻蚀Al2O3刻蚀氧化铝感应耦合等离子体刻蚀蓝宝石GST刻蚀锗锑碲化物的ICP刻蚀技术感应耦合等离子体刻蚀Bi2Te3刻蚀碲化铋反应离子刻蚀ITO刻蚀铟锡氧化物
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