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半导体检测仪原子层刻蚀PlasmaPro 100 ALE PlasmaPro100 ALE 原子层刻蚀
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牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀
我们的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。
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牛津仪器ALD OpAL原子层沉积系统
OpAL系统是一种带有等离子体选项的直开式热原子层沉积(ALD)设备。 它可通过清晰而易行的途径升级为等离子体 ALD,这样便可在一个结构紧凑的设备上实现等离子体和热ALD。紧凑型直开式热原子层沉积
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牛津仪器ALD OpAL原子层沉积系统沉积系统
OpAL系统是一种直立式热原子层沉积(ALD)设备,配备等离子体选项。它能够简单地实现从热ALD升级到等离子体ALD,在一个紧凑的结构上实现等离子体和热ALD。紧凑型直立式热原子层沉积(ALD)设备
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牛津仪器 牛津仪器ALD OpAL原子层沉积系统
OpAL系统是一种直接开放式热原子层沉积(ALD)设备,具有等离子体选项。它可以升级为等离子体ALD,这样就可以在一个结构紧凑的设备上实现等离子体和热ALD。这款紧凑型直接开放式热原子层沉积(ALD
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PlasmaPro 100 ALE牛津仪器原子层刻蚀 可检测Power
二氧化硅和石英刻蚀用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖逆工艺,可处理封装好的芯片, 裸晶片,以及200mm晶圆高质量PECVD沉积的氮化硅和二氧化硅,用于光子学、电介质层
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PlasmaPro 100 ALE牛津仪器原子层刻蚀 可检测Power
好的芯片, 裸晶片,以及200mm晶圆高质量PECVD沉积的氮化硅和二氧化硅,用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀
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PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀牛津仪器 半导体制造
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牛津仪器原子层刻蚀PlasmaPro 100 ALE 应用于纳米材料
, 裸晶片,以及200mm晶圆高质量PECVD沉积的氮化硅和二氧化硅,用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀
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牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀 适用于Power Semiconductors
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