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半导体检测仪原子层刻蚀PlasmaPro 100 ALE PlasmaPro100 ALE 原子层刻蚀
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牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀
我们的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。
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牛津仪器ALD OpAL原子层沉积系统
OpAL系统是一种带有等离子体选项的直开式热原子层沉积(ALD)设备。 它可通过清晰而易行的途径升级为等离子体 ALD,这样便可在一个结构紧凑的设备上实现等离子体和热ALD。紧凑型直开式热原子层沉积
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牛津仪器ALD OpAL原子层沉积系统沉积系统
OpAL系统是一种直立式热原子层沉积(ALD)设备,配备等离子体选项。它能够简单地实现从热ALD升级到等离子体ALD,在一个紧凑的结构上实现等离子体和热ALD。紧凑型直立式热原子层沉积(ALD)设备
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牛津仪器 牛津仪器ALD OpAL原子层沉积系统
OpAL系统是一种直接开放式热原子层沉积(ALD)设备,具有等离子体选项。它可以升级为等离子体ALD,这样就可以在一个结构紧凑的设备上实现等离子体和热ALD。这款紧凑型直接开放式热原子层沉积(ALD
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PlasmaPro 100 ALE牛津仪器原子层刻蚀 可检测Power
)刻蚀工艺非常适于刻蚀纳米级薄层应用III-V族材料刻蚀工艺固体激光器InP刻蚀VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀 射频器件低损伤GaN刻蚀硅 Bosch和超低温刻蚀工艺 类金刚石(DLC)沉积
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PlasmaPro 100 ALE牛津仪器原子层刻蚀 可检测Power
损伤工艺数字化/循环式刻蚀工艺——刻蚀相当于ALD高选择比能加工最大200mm的晶圆高深宽比(HAR)刻蚀工艺非常适于刻蚀纳米级薄层应用III-V族材料刻蚀工艺固体激光器InP刻蚀VCSEL GaAs
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PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀牛津仪器 半导体制造
(HAR)刻蚀工艺非常适于刻蚀纳米级薄层应用III-V族材料刻蚀工艺固体激光器InP刻蚀VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀 射频器件低损伤GaN刻蚀硅 Bosch和超低温刻蚀工艺 类金刚石(DLC
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牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀 应用VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
我们的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。
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牛津仪器原子层刻蚀PlasmaPro 100 ALE 应用于纳米材料
/循环式刻蚀工艺——刻蚀相当于ALD高选择比能加工最大200mm的晶圆高深宽比(HAR)刻蚀工艺非常适于刻蚀纳米级薄层应用III-V族材料刻蚀工艺固体激光器InP刻蚀VCSEL GaAs/AlGaAs
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