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牛津仪器PlasmaPro 100 PECVD等离子体刻蚀和淀积工艺设备
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IMP-EPD 等离子体刻蚀终点检测仪
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牛津仪器Etch刻蚀工艺牛津仪器
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb刻蚀锑化镓刻蚀GaN刻蚀氮化镓刻蚀InSb刻蚀
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牛津仪器 牛津仪器Etch刻蚀工艺
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb刻蚀锑化镓刻蚀GaN刻蚀氮化镓刻蚀InSb刻蚀
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牛津仪器Etch刻蚀工艺 应用硅
电介质刻蚀(Ta2O5)—五氧化二钽刻蚀Al2O3—刻蚀氧化铝—感应耦合等离子体刻蚀蓝宝石GST刻蚀- 锗锑碲化物的ICP刻蚀技术感应耦合等离子体刻蚀Bi2Te3—刻蚀碲化铋反应离子刻蚀ITO—刻蚀
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牛津仪器Etch刻蚀工艺
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓刻蚀GaN—刻蚀氮化镓刻蚀
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牛津仪器Etch刻蚀工艺 应用有机物
耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓刻蚀GaN—刻蚀氮化镓刻蚀InSb—刻蚀锑化铟刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀
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牛津仪器Etch刻蚀工艺 应用金属
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国产固相萃取装置
LPSPE88可同时处理8个样品,连续不间断处理88个样品,萃取的单一样品体积为0-100ml,也可拓展处理达数升的大体积水样。仪器采用高精密注射泵,不易堵塞,适用于食品、药品、农产品、土壤、水样等
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国仪量子 国产F-Sorb 2400CES比表面积测试仪
F-Sorb 2400CES 系列产品、测试结果不会因样品而异,准确度高,科学性强,测试效率高,适用于生产企业中比表面积的精确测定。F-Sorb 2400CES比表面积测试仪,采用动态色谱法测试原理
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