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牛津仪器PlasmaPro 100 PECVD等离子体刻蚀和淀积工艺设备
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低温等离子体刻蚀设备
等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处: 1、其除去了有机层(含
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IMP-EPD 等离子体刻蚀终点检测仪
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牛津仪器Etch刻蚀工艺牛津仪器
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb刻蚀锑化镓刻蚀GaN刻蚀氮化镓刻蚀InSb刻蚀
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牛津仪器 牛津仪器Etch刻蚀工艺
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb刻蚀锑化镓刻蚀GaN刻蚀氮化镓刻蚀InSb刻蚀
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牛津仪器Etch刻蚀工艺 应用硅
电介质刻蚀(Ta2O5)—五氧化二钽刻蚀Al2O3—刻蚀氧化铝—感应耦合等离子体刻蚀蓝宝石GST刻蚀- 锗锑碲化物的ICP刻蚀技术感应耦合等离子体刻蚀Bi2Te3—刻蚀碲化铋反应离子刻蚀ITO—刻蚀
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牛津仪器Etch刻蚀工艺
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓刻蚀GaN—刻蚀氮化镓刻蚀
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牛津仪器Ionfab300刻蚀和沉积设备牛津仪器
具有灵活的硬件选项,包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统规格与实际应用紧密协调,以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果。多模式功能能够与其他等离子体刻蚀和沉积设备相集成,单晶圆传送模式或
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半导体检测仪 牛津仪器Ionfab300刻蚀和沉积设备牛津仪器
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牛津仪器Etch刻蚀工艺 应用有机物
耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓刻蚀GaN—刻蚀氮化镓刻蚀InSb—刻蚀锑化铟刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀
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