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Agilent 电感耦合等离子体质谱仪ICP-MS安捷伦 可检测硅片表面
安捷伦ICP-MS7900参考多项行业标准。完成硅片表面的检测。可以用在地矿/有色金属行业领域中的金属污染物项目。 SME-ICP-MS 技术为硅片表面的痕量金属表征提供了一种灵敏且准确的方法。可在
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Suna硅片 SC-4-10
衍射实验中的一个关键参数是信噪比和相关可实现的分辨率。Suna硅片允许以最小的背景散射水平进行衍射实验。根据芯片的尺寸和几何形状,它们可以容纳200000个微晶进行连续晶体学实验。由于使用了单晶硅
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Suna硅片 SC-25-45
衍射实验中的一个关键参数是信噪比和相关可实现的分辨率。Suna硅片允许以最小的背景散射水平进行衍射实验。根据芯片的尺寸和几何形状,它们可以容纳200000个微晶进行连续晶体学实验。由于使用了单晶硅
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赛默飞Element GD Plus™ GD-MS 可再生能源:硅块、硅片、太阳能电池
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薄膜应力和硅片翘曲检测仪
基于Optilever激光扫描技术。 使用应力控制,避免薄膜分层,形成凹凸状。 光学设计减少图形衬底对激光的干涉。 在TSV, 半导体以及LED工艺上控制基底弯度。 在平板显示行业,控制玻璃的平整度
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日本MSA 高温炉 硅片加热炉 RP10020
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牛津仪器Etch刻蚀工艺
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓刻蚀GaN—刻蚀氮化镓刻蚀
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7900安捷伦Agilent 电感耦合等离子体质谱仪 采用表面金属提取电感耦合等离子体质谱(SME-ICP-MS) 表征硅片表面的金属污染物
安捷伦ICP-MS7900适用于金属污染物项目,参考多项行业标准。可以检测硅片表面等样品。可应用于地矿/有色金属行业领域。 SME-ICP-MS 技术为硅片表面的痕量金属表征提供了一种灵敏且准确的
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ÄKTAexplorer 100快速工艺开发系统
适合从小试摸索到中试(三期临床完毕)生产,适用各种层析技术,专门分离和纯化各类生物分子,包括天然蛋白质,重组和融合蛋白质、肽、寡核酸、质粒、病毒、抗生素、生物碱等等。
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牛津仪器Etch刻蚀工艺牛津仪器
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb刻蚀锑化镓刻蚀GaN刻蚀氮化镓刻蚀InSb刻蚀锑
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