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氧化镓 CAS:12024-21-4 乐研Leyan.com
乐研Leyan.com:致力于为医药研发提供高品质化学试剂服务。氧化镓CAS No. :12024-21-4产品编号:1239586英文名称:Gallium oxide, 99.99%库存:现货供应
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福禄克 9230 小型镓点复现/保存装置
价格便宜、简单易用的固定点维护装置温坪持续时间为一周轻松自动复现每天在实验室内使用镓熔化点 (29.7646 °C) 为临界温度。生命科学、环境监测以及众多其他应用中使用的温度计均依靠该熔化点
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Judson-铟镓砷探测器
红外光电探测器在我们日常生活中随处可见,有着许多应用,主要应用为:气体分析仪、水质分析、红外测温、分光光度 计、傅里叶红外光谱仪、辐射度计、红外显微、功率计、热成像、污染源检测等根据红外探测器的波长
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卓立汉光铟镓砷探测器
仪器简介:■ 常温型铟镓砷探测器(InGaAs) ―――常温型近红外探测器,波长范围:0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器(InGaAs) ――TE制冷型近红外探测器,波长范围
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牛津仪器半导体检测仪
、磷化铟/铟镓砷磷、InGaAlP、铝镓铟磷、InP、磷化铟、InAlAs、砷化铟铝、InP/InGaAsP、磷化铟/铟镓砷磷、ZnSe的刻蚀。还有反应离子刻蚀硒化锌电介质(Ta2O5)、氧化
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东西分析ICP-7700ICP-AES 可检测镓
东西分析ICP-AESICP-7700参考多项行业标准。完成镓、铁、钒、铜、钙、镁、铝、锌的检测。可以用在电子/半导体行业领域中的半导体行业生产用材料项目。 ICP固态射频发生器:体积小、重量轻
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TESCAN AMBER 镓离子型双束扫描电镜
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牛津仪器Etch刻蚀工艺牛津仪器
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb刻蚀锑化镓刻蚀GaN刻蚀氮化镓刻蚀InSb刻蚀
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牛津仪器 牛津仪器Etch刻蚀工艺
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb刻蚀锑化镓刻蚀GaN刻蚀氮化镓刻蚀InSb刻蚀
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牛津仪器Etch刻蚀工艺 应用硅
铟锡氧化物干法刻蚀LiNbO3—刻蚀铌酸锂干法刻蚀LiTaO3—刻蚀钽酸锂刻蚀PZT—刻蚀锆钛酸铅刻蚀PbSe—刻蚀硒化铅刻蚀SiC—刻蚀碳化硅化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓
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