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牛津仪器半导体检测仪
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牛津仪器Etch刻蚀工艺牛津仪器
刻蚀(反应离子刻蚀)刻蚀铜刻蚀Mo刻蚀钼刻蚀Nb(反应离子刻蚀,感应耦合等离子体)刻蚀铌刻蚀Ni刻蚀镍离子束刻蚀Ni刻蚀镍铬合金溅射刻蚀Pt溅射刻蚀铂刻蚀Ti超大刻蚀深度刻蚀Ta刻蚀钽刻蚀W刻蚀钨
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牛津仪器 牛津仪器Etch刻蚀工艺
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牛津仪器Etch刻蚀工艺 应用硅
铟锡氧化物干法刻蚀LiNbO3—刻蚀铌酸锂干法刻蚀LiTaO3—刻蚀钽酸锂刻蚀PZT—刻蚀锆钛酸铅刻蚀PbSe—刻蚀硒化铅刻蚀SiC—刻蚀碳化硅化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓
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牛津仪器Etch刻蚀工艺
化铋反应离子刻蚀ITO—刻蚀铟锡氧化物干法刻蚀LiNbO3—刻蚀铌酸锂干法刻蚀LiTaO3—刻蚀钽酸锂刻蚀PZT—刻蚀锆钛酸铅刻蚀PbSe—刻蚀硒化铅刻蚀SiC—刻蚀碳化硅 金属刻蚀Al—感应
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牛津仪器Etch刻蚀工艺 应用有机物
—刻蚀氧化铝—感应耦合等离子体刻蚀蓝宝石GST刻蚀- 锗锑碲化物的ICP刻蚀技术感应耦合等离子体刻蚀Bi2Te3—刻蚀碲化铋反应离子刻蚀ITO—刻蚀铟锡氧化物干法刻蚀LiNbO3—刻蚀铌酸锂干法刻蚀
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牛津仪器Etch刻蚀工艺 应用金属
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Titan MPS珀金埃尔默微波消解 PerkinElmer 二硫化铌
点击查看下载Titan MPS珀金埃尔默微波消解 PerkinElmer 二硫化铌相关资料,进一步了解产品。 zei高压力: 40 | 100barzei高温度: 260摄氏度微波源: 样品
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溴钨灯光源、溴钨灯稳流电源
仪器简介: 溴钨灯的色温约为3000K-3200K,光谱辐射亮度为:L(λ)=ε(λ)B(λ);其中,B(λ)为与溴钨灯色温相同黑体的光谱辐亮度。Ε(λ)为钨的光谱发射率随波长和
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掺镁铌酸锂晶片
美国Crystal Technology公司提供掺MgO铌酸锂晶片(MgO:LN)。 由于没有光折变损伤,具有高纯度与高损伤阈值的掺氧化镁铌酸锂晶体能够承受的光强比一般的非掺杂纯铌酸锂晶体高几百
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