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牛津仪器半导体检测仪
、磷化铟/铟镓砷磷、InGaAlP、铝镓铟磷、InP、磷化铟、InAlAs、砷化铟铝、InP/InGaAsP、磷化铟/铟镓砷磷、ZnSe的刻蚀。还有反应离子刻蚀硒化锌电介质(Ta2O5)、氧化铝
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Judson-铟镓砷探测器
红外光电探测器在我们日常生活中随处可见,有着许多应用,主要应用为:气体分析仪、水质分析、红外测温、分光光度 计、傅里叶红外光谱仪、辐射度计、红外显微、功率计、热成像、污染源检测等根据红外探测器的波长
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卓立汉光铟镓砷探测器
仪器简介:■ 常温型铟镓砷探测器(InGaAs) ―――常温型近红外探测器,波长范围:0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器(InGaAs) ――TE制冷型近红外探测器,波长范围
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牛津仪器Etch刻蚀工艺牛津仪器
锑化铟刻蚀InP/InGaAsP刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀InGaAlP刻蚀铝镓铟磷刻蚀InP刻蚀磷化铟刻蚀InAlAs刻蚀砷化铟铝刻蚀InP/InGaAsP刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀ZnSe反应离子刻蚀
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牛津仪器 牛津仪器Etch刻蚀工艺
锑化铟刻蚀InP/InGaAsP刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀InGaAlP刻蚀铝镓铟磷刻蚀InP刻蚀磷化铟刻蚀InAlAs刻蚀砷化铟铝刻蚀InP/InGaAsP刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀ZnSe反应离子刻蚀
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牛津仪器Etch刻蚀工艺 应用硅
铟锡氧化物干法刻蚀LiNbO3—刻蚀铌酸锂干法刻蚀LiTaO3—刻蚀钽酸锂刻蚀PZT—刻蚀锆钛酸铅刻蚀PbSe—刻蚀硒化铅刻蚀SiC—刻蚀碳化硅化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓
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牛津仪器Etch刻蚀工艺
InSb—刻蚀锑化铟刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀InGaAlP—刻蚀铝镓铟磷刻蚀InP—刻蚀磷化铟刻蚀InAlAs—刻蚀砷化铟铝刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化铟/铟镓砷磷
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牛津仪器Etch刻蚀工艺 应用有机物
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牛津仪器Etch刻蚀工艺 应用金属
铝镓铟磷刻蚀InP—刻蚀磷化铟刻蚀InAlAs—刻蚀砷化铟铝刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀ZnSe—反应离子刻蚀硒化锌电介质刻蚀(Ta2O5)—五氧化二钽刻蚀Al2O3—刻蚀
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常温型铟镓砷探测器卓立汉光
产品概述:常温型铟镓砷探测器(常温型InGaAs探测器)● DInGaAs1650型:内装国产InGaAs元件● DInGaAs1700-R03M型:内装进口InGaAs元件
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