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锑化铟InSb探测器
红外光电探测器在我们日常生活中随处可见,有着许多应用,主要应用为:气体分析仪、水质分析、红外测温、分光光度计、傅里叶红外光谱仪、辐射度计、红外显微、功率计、热成像、污染源检测等 根据红外探测器的波长
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锑化镓(GaSb)晶体基片
产品名称:锑化镓(GaSb)晶体基片产品简介:技术参数:单晶GaSb掺杂none;None, high R;Zn;Te;Te, high R导电类型P P- P+ N载流子浓度
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卓立汉光锑化铟探测器
仪器简介: ■ 锑化铟探测器(InSb) ———液氮制冷型红外探测器,波长范围:1~5.5μm 技术参数: 型号列表及主要技术指标: 型号/参数 DInSb5-De01
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锑化镓(GaSb)晶体基片
产品名称:锑化镓(GaSb)晶体基片产品简介:技术参数:单晶GaSb掺杂none;None, high R;Zn;Te;Te, high R导电类型P P- P+ N载流子浓度
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卓立汉光InSb系列锑化铟探测器
产品概述InSb系列锑化铟探测器有DInSb5-De02和DInSb5-HS两个主要型号:■ DInSb5-De02为液氮制冷侧窗型,光敏面直径2mm,另有1mm、 4mm和7mm光敏面尺寸可选
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牛津仪器Etch刻蚀工艺 应用硅
深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓刻蚀GaN—刻蚀氮化镓刻蚀InSb—刻蚀锑化铟刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化铟
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牛津仪器Etch刻蚀工艺
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓刻蚀GaN—刻蚀氮化镓刻蚀
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牛津仪器Etch刻蚀工艺 应用有机物
耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓刻蚀GaN—刻蚀氮化镓刻蚀InSb—刻蚀锑化铟刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀
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牛津仪器Etch刻蚀工艺 应用电介质
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牛津仪器Etch刻蚀工艺 应用金属
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