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伯东NS离子刻蚀机
上海伯东 NS 进口离子蚀刻机 20-M/NS-12,适合大规模量产使用的离子刻蚀机 离子蚀刻机 20-M/NS-12上海伯东 NS 进口离子蚀刻机 20-M/NS-12,适合大规模量产使用的离子
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刻蚀光栅
刻蚀光栅一、标准的刻蚀光栅规格:刻线/mm闪耀波长nm闪耀角度色散nm/mr12.7x12.7x 625x25x 625x25x 9.530x30x 9.550x50x 9.512.5x25x
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GAIA3 model 2016超高分辨双束扫描电镜系统 (FIB-SEM
光学系统设计 ·马达控制的精准样品台,可进行精确的移动或倾转操作 ·Field-free模式下可对磁性样品进行有效观察 ·高达400nA的束流强度 ·停留时间低至20ns的快速电子束刻蚀速度 ·FIB
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等离子刻蚀ICP
Minilock-Phantom III具有预真空室的反应离子刻蚀机可适用于单个基片或带承片盘的基片(3”- 300mm尺寸),为实验室和试制线生产环境提供最先进的刻蚀能力。它也具有多尺寸
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伯东日本离子蚀刻机
10-M/NS-5,适合小规模生产使用和实验室研究用的离子刻蚀机。 离子蚀刻机10-M/NS-5上海伯东日本NS进口离子蚀刻机10-M/NS-5,适合小规模生产使用和实验室研究用的离子刻蚀机。上海伯
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伯东离子蚀刻机NS
进口离子蚀刻机 20-M/NS-8,适合中等规模量产使用的离子刻蚀机。 离子蚀刻机 20-M/NS-8上海伯东日本 NS 进口离子蚀刻机 20-M/NS-8,适合中等规模量产使用的离子刻蚀机
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离子束刻蚀/沉积系统
电子回旋共振技术(ECR)的小型离子束蚀刻系统,特别适合于科研用离子束刻蚀、减薄,清洗、沉积等。 EIS-200是Elionix推出的一款基于电子回旋共振技术(ECR
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光刻胶
表面。当紫外光或电子束的照射时,光刻胶材料本身的特性会发生改变,经过显影液显影后,曝光的负性光刻胶或未曝光的正性光刻胶将会留在衬底表面,这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上,而后续的刻蚀、沉积等工艺
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1.2ns快门 ICCD系列
4 QUIK E成像质量最佳的高速ICCD相机-1.2ns 最快快门速度-最佳成像质量-单光子探测灵敏度-紧凑型设计光阴极类型波段波长范围
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NPC- 3000 等离子刻蚀机
有机物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件,电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性,消除键合问题塑料的表面改型:O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面
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