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原子层沉积技术ALD-P1000
原子层沉积技术ALD-P1000技术参数衬底尺寸和类型大小不等的3D结构物件(例如:机械零件、玻璃或金属片、硬币、珠宝以及医疗植入物等)工艺温度50 - 400 °C标准选件Al2O3
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芬兰原子层沉积技术PICOSUN™ALD-P300BV
薄膜沉积PICOSUN™ALD-P300B型 技术参数:衬底尺寸和类型200mm晶圆 25片/批次(标准间距)150mm 晶圆 50片/批次(标准间距)100mm 晶圆 75片/批次(标准间
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ALD排液装置
仪器简介:ALD排液装置 气体处理系统中当气体被冷却后需要排除冷凝物时需使用ALD。为了在预分离饱和气体冷凝水的同时能排液, ALD分离器和自动排液系统配有侧面气体连接,提供了额外的分离功能
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原子层沉积系统(ALD)
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ALD原子层沉积设备-SVT
NorthStar ALD系统介绍:NorthStar ALD原子层沉积系统提供各种淀积方法,包括热淀积以及能量增强淀积。每台设备可以提供多达8个先驱源管路以及一个热壁淀积腔,使其应用范围极为
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ALD-01 自动配液器
技术指标 可配置设置 50 mL~1000 mL;进样误差:≤2%;温度补偿系统:控温范围4℃-60℃,控温精度±1℃;总溶液体积配置时间小于15分钟。 本产品具有自动搅拌系统。功能特点
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NLD-3000 ALD原子层沉积系统
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SUPERALD Exploiter原子层沉积Thermal-ALD
设备规格工艺温度:温度范围:RT~500°C (可定制)前驱体路数:支持6路前驱体气路(可定制),包含固、液态前驱体源瓶加热系统:可加热温度范围:RT~150℃反应物路数:支持2路反应物气路(可
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PICOSUN®R-200高级ALD镀膜设备
ALD当今最复杂的薄膜镀膜技术。 原子层沉积(ALD)是一种先进的薄膜涂覆方法,可用于制造超薄,高度均匀和共形的材料层,以用于多种应用。 ALD使用顺序,自限和表面受控的气相化学反应来控制纳米
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牛津仪器OPAL原子层沉积系统(ALD)
ALD做相应修改。 牛津仪器向世界范围内的生产商和研发者提供沉积工艺解决方案的经验为我们提供了世界上zei强大沉积工艺库和沉积工艺能力。以下是牛津仪器等离子技术可以提供的一些
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