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非极性GaN晶体基片
产品名称:非极性氮化镓(GaN)晶体基片产品简介:技术参数:晶体定位面:A plane +/-1;M plane +/-1°.传导类型:N型;半绝缘型电阻率:R106Ω.cm表面粗糙度:
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氮化镓(GaN)晶体基片
产品名称:氮化镓(GaN)晶体基片产品简介:GaN易与AlN、InN等构成混晶,能制成各种异质结构,已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高,有效地
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Al2O3镀GaN薄膜
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Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜
产品名称:Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜?P型掺Mg(Al0.1GaN0.9?epitaxial?template?on?Sapphire??P?type?)常规尺寸:dia2
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Ganymede系列SD-OCT光学相干断层成像系统GAN312C1/M
其他数据源与OCT信号内部硬件诊断,改善故障排除Thorlabs提供五种完整的预配置Ganymede OCT系统,每套系统完全兼容Ganymede系列所有的OCT组件。GAN111C1(/M
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A-Z系列薄膜列表
(进口料)Al2O3+ZnO薄膜Si+SiO2+TiO2+Pt (进口料)Al2O3+Si薄膜(SOS)Si+SiO2+Ti+Pt (国产)AL2O3+GaN薄膜(P型;N型掺Si;N型不掺杂
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PL光致发光光谱测量系统
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Säntis 300全晶圆工业阴极荧光CL-SEM系统
扫描模式(FWBrush模式)• 线扫描模式(AWPix模式)• 多点扫描模式 工业市场应用:1、GaN 及其应用: 高强度LED要求高发射效率和高可靠性。以汽 车应用为例,LED故障影响安全,危及
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天士立 晶体管动态特性测试系统 ST-AC1200
测试种类:Si(SiC/GaN)IGBT , Diode , MOSFET(选配BJT) 输出能力:电压最大1200V(选配2000V);电流最大100A(可扩展200A/300A/500A
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常温&液氮温度测试系统
, SiC,GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO (N Type & P Type)测试材质:半导体类材质、如: Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs
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