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ICP刻蚀机配套冷却循环水机
DW-LS-3500W冷却循环水机技术参数 项目 型号 DW-LS-3500W标准制冷量Kcal/h3010W3500制冷量计算标准蒸发温度
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等离子刻蚀ICP
Minilock-Phantom III具有预真空室的反应离子刻蚀机可适用于单个基片或带承片盘的基片(3”- 300mm尺寸),为实验室和试制线生产环境提供最先进的刻蚀能力。它也具有多尺寸
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NRE-4000 (ICPA) 全自动ICP刻蚀系统
的气体均匀分布。系统带暗区保护。样品台:6”的托盘夹具,能够支持6”的Wafer。可以支持冷却功能,包含气动截止阀;流量控制:支持6个或更多的MFC’s 用于ICP高速刻蚀,带气动截止阀,所有的慢/快
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NRE-4000 (ICPM) 全自动ICP刻蚀系统
外观尺寸:紧凑型立柜式设计,不锈钢腔体,外观尺寸为44”(W) x 26”(L) x62”(H); NRE-4000(ICPM)ICP刻蚀系统是带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统
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莎姆克RIE-200iP ICP Plasma Etching Systems (ICP-RIE)高密度等离子刻蚀机
特征zei大可处理6英寸晶片搬送室设计允许使用氯系气体可调节晶片温度(氦气冷却)zl龙卷风ICP电极多方排气系统可改善均匀度和效能可循环进行金属刻蚀工艺配方储存及数据资料记录小体积及全功能
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伯东NS离子刻蚀机
上海伯东 NS 进口离子蚀刻机 20-M/NS-12,适合大规模量产使用的离子刻蚀机 离子蚀刻机 20-M/NS-12上海伯东 NS 进口离子蚀刻机 20-M/NS-12,适合大规模量产使用的离子
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NPC- 3000 等离子刻蚀机
超净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源旋转样品台RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台全自动或手动RF调谐最多可支持4个MFC带电抛光的气体管路PC计算机控制的气动阀带密码保护的多级访问
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刻蚀光栅
刻蚀光栅一、标准的刻蚀光栅规格:刻线/mm闪耀波长nm闪耀角度色散nm/mr12.7x12.7x 625x25x 625x25x 9.530x30x 9.550x50x 9.512.5x25x
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NPC-4000(M) 等离子刻蚀机
表面 NANO-MASTER 等离子刻蚀和清洗系统是专门设计用来满足晶圆批处理或者单晶片处理的广泛应用,从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。 紧凑型立式系统手动上下载片不锈钢、铝制腔体或钟罩式
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NPC-3500(M)等离子刻蚀机
100级超净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源旋转样品台RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台全自动或手动RF调谐最多可支持4个MFC带电抛光的气体管路PC计算机控制的气动阀带密码保护的
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