-
InGaAs 阵列光谱仪
杂散光15,000:1@ 100 msec分辨率>3 nm光谱范围0.9-2.5 μm动态范围高动态范围灵敏度 高灵敏度产地属性美洲探测器类InGaAs光谱范围近红外价格区间5万
-
Ophir近红外InGaAs相机
激光光束分析仪近红外InGaAs相机主要特点:量子效率高,暗电流小,灵敏度高,曝光时间范围宽。主要应用领域:空间遥感、夜视、侦察与监视、遥感系统、红外成像制导、光电对抗等。 激光光束分析仪
-
InP上镀InGaAs薄膜
产品名称:InP上镀InGaAs薄膜(进口料Epi:?Lattice?matched?p-type?InGaAs:Zn)常规尺寸:dia 2" ;单抛标准包装:技术参数:1000级超净室100
-
LAPD 3050 InGaAs APD Module
:最小1米尺寸:毫米 LAPD 3050为采用3 PIN同轴密封封装的50um InGaAs APD。 APD通过单模尾纤耦合输出。 具有低噪声和过负荷能力的LAPD 3050同轴APD是OTDR
-
InGaAs近红外相机
详细参数 产品型号 C14041-10U 探测器类型 InGaAs传感器 有效像素 320 (H)×256 (V) 像素尺寸 20 μm × 20 μm 有效面积 6.4
-
非制冷面阵InGaAs相机
型号:ARTCAM TNIR系列生产厂家:日本ArtrayArtray公司提供多种规格的非制冷面阵InGaAs相机,波段范围900-1700nm,采用USB接口,并可提供模拟视频输出以满足各种
-
NIRvana 短波近红外InGaAs相机
-
InGaAs/Silicon光电探测器
技术参数: EOT InGaAs/Silicon光电探测器内置的PIN光电二极管,通过光伏效应将光功率转换成电流。当通过50欧姆电阻连接到示波器时,可以测量激光器的脉宽。 应用
-
InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜
产品名称:InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜(dia3”InP/InGaAs/InP EPI on InP ) 产品参数:薄膜生长方法:MOCVD deposition基底参数:N型
-
InGaAs光电平衡探测器
产品参数产品型号BPD-100M-ABPD-200M-ABPD-350M-ABPD-800M-ABPD-1.6G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700800~1700800
想在此推广您的产品吗?
咨询热线: 010-84839035
联系邮箱: sales@antpedia.net