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光电探测器
仪器简介: 雪崩光电探测器(APD) 产品特性: 高速响应达GHz 封装尺寸小:50 x 50 x 45 mm 400-1000 nm /850-1650 nm
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光电探测器
雪崩光电探测器产品简介高速低噪声雪崩光电平衡探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度控制;隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响
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时域光电探测器
为了获得极限信号保真度,时域优化的超高速光电探测器提供 12 和 18.5 ps 半高全宽 (FWHM) 脉冲响应。每个光电探测器都经过单独测试,并附带其自身的脉冲和频率响应曲线。如果您的应用
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光电探测器模块
安装举例 光电探测器C3A-I1700FA参数规格属性数值光电探测器InGaAS铟镓砷探测器光敏面大小Φ100um光学窗口Plane borosilicate glass响应波长范围
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GPD光电探测器
量青光电代理美国GPD公司全线产品 成立于1973年的GPD公司,一直致力于高速锗晶体和光电探测器的研发和生产,为用户提供用于辐射探测和电信应用的Ge,p-n,APD和InGaAs
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高速光电探测器
高速光电探测器,500-1630 nm,45 GHz,FC 单模输入型号: 1014技术参数探测器材料InGaAs探测器直径12 μm波长范围500-1630 nm3 dB 带宽DC
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硅光电探测器
仪器简介: 硅光电探测器(Si) ———室温型探测器,波长范围:200-1100nm 技术参数: 型号列表及主要技术指标: 技术指标\型号名称
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高速光电探测器配件
的厚度使用附带的 Delrin® 环或固定螺丝安装直径为 1 英寸的滤光片。由于可直接安装到光电探测器的外壳上,所以不必要的光不会进入光电探测器内。当与我们的飞瓦光接收器与窄带滤光片配合使用时,就会
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InGaAs/Silicon光电探测器
技术参数: EOT InGaAs/Silicon光电探测器内置的PIN光电二极管,通过光伏效应将光功率转换成电流。当通过50欧姆电阻连接到示波器时,可以测量激光器的脉宽。 应用
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超快光电探测器UPD
测量UPD 系列产品型号型号 上升沿时间(ps)带宽(GHz)光谱范围(nm)量子效率响应区域(Dia.μm/mm2)探测面
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