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450型电子束蒸发镀膜系统
技术参数系统主要由蒸发真空室、E型电子枪、热蒸发电极、旋转基片加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。 技术指标: 极限真空度:≤6.7×10 Pa 恢复真空
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GSL-ZDDZS-500电子束蒸镀
的优点,还具有蒸镀速率快,电子束定位准确能量密度高,可以避免坩埚材料的污染等特点。 产品简介:用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。广泛应用于大专院校、科研院所进行薄膜材料
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高精度电子束曝光系统
ELS-F125是Elionix推出的世界上首款加速电压高达125KV的电子束曝光系统,其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125) ELS-F125是Elionix推出
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脉冲电子束沉积系统 Pioneer 180 PED System
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NEE-4000 (M) 电子束蒸发系统
10KW开关电源涡轮分子泵,极限真空5x10-7Torr NANO-MASTER NEE-4000电子束蒸发系统为双腔体的配置,其中样品台位于主腔体内,二级腔体则用于安置电子束源。 顺序
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NEE-4000 (A) 全自动电子束蒸发系统
电抛光14“立方体或21“x21“x22“不锈钢优化蒸镀腔体680 l/sec 涡轮分子泵,串接机械泵或干泵4x 15CC pocket电子枪电子束源和基片遮板6KW开关电源,杰出的消弧性能
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PLASSYS 超高真空多腔体电子束蒸镀系统
预处理腔:衬底旋转、倾斜(3D);干泵+ 分子泵; 真空度10-8 T 蒸发镀膜腔:电子枪6-15KW;样品台:可加载4英寸衬底; 衬底可加热到800
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日本电子JBX-3200MV电子束光刻系统
产品规格:拼接精度≦±3.5 nm套刻精度≦±5 nm JBX-3200MV是用于制作28nm~22/20nm节点的掩模版/中间掩模版(mask/reticle)的可变矩形电子束光刻系统
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日本电子JBX-6300FS 电子束光刻系统
直径为(计算值)2.1nm的电子束,简便地描画出线宽在8nm以下(实际可达5nm)的图形。 此外,该光刻系统还实现了9nm以下的场拼接精度和套刻精度,性能比优越。 利用zei细电子束束斑(实测值直径
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日本电子JBX-3050MV 电子束光刻系统
产品规格:拼接精度≦±3.8 nm套刻精度≦±7 nm JBX-3050MV 是用于制作45nm~32nm 节点的掩模版/中间掩模版(mask/reticle)的可变矩形电子束光刻系统
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