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AMPTEKX射线/X光硅漂移探测器XR-100SDD
产品参数常规参数探头类型硅漂移探测器(SDD)探头尺寸25mm2硅晶体厚度500μm准直器内置多层准直器(ML)能量分辨率(@55Fe, 5.9keV峰)125-140eV FWHM (11.2μs
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AMPTEK-超快型X射线/X光硅漂移探测器
下一代硅漂移探测器 (Next Generation SDD)超快型硅漂移探测器 (Super Fast SDD) 10倍通量 & 不损失任何分辨率 能量分辨率(FWHM,[eV])峰化时
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硅控可调电炉
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硅基CCD相机
激光光束分析仪硅基CCD相机主要特点: 相应灵敏度高; 不同感光面尺寸可供选择; USB/Firewire/ Gigbit Ethernet三种接口方式; C-Mount 接口
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多晶硅和单晶硅标准太阳能电池
规格参数尺寸和外观测试条件光伏材料单晶硅/多晶硅光谱AM1.5光伏器件尺寸20mm x 20mm标定温度25oC窗口材料空间抗辐照盖片标定辐照度1000 W/m2外围材料空间抗辐照盖片波长范围
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2429600-CN硅试剂
货号适用仪器型号说明参数分析方法包装量程27169-CN二氧化硅3试剂粉枕,pk/100二氧化硅8186分光光度计粉枕100/pk0.010-1.600mg/L,SiO₂2678500-CN硅试剂
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硅基底石墨烯膜
产品名称硅基底石墨烯膜硅片厚度700um硅片表面氧化硅厚度300nm硅片表面石墨烯光学形貌 硅片表面石墨烯Raman 光谱 硅基底名称规格方阻(□/sq) 备注单层石墨烯膜1cm
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2230XP硅表
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硅表标液2035902
美国HACH公司波利梅特龙Polymetron电力仪表常用配件:Polymetron 9610sc在线硅表硅表试剂2035600-CNR1硅表试剂2035702-CNR2硅表试剂
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Entech硅涂层采样罐
流量范围0.12ml/min-400ml/min最高流量和阻力下运行时间10min-2h最大流量和阻力下使用寿命≥5000h流量稳定性24h≤±1%流量计精度±1.5%技术参数:· 采用先进的
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