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ORTEC带电粒子探测器ULTRA
探测器。 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器,除应用本身外,在
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U-050-2000-100带电粒子探测器
探测器。 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器,除应用本身外,在探测
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R-015-050-300带电粒子探测器
器。ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器,除应用本身外,在探测器上应从
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U-013-025-300带电粒子探测器
探测器。 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器,除应用本身外,在
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D-035-050-25带电粒子探测器
探测器。 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器,除应用本身外,在
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D-015-050-50带电粒子探测器
的厚硅探测器。 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器,除应用
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U-050-2000-100带电粒子探测器
器。ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器,除应用本身外,在探测器上应从
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U-019-300-100带电粒子探测器
器。 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器,除应用本身外,在
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尘埃粒子计数仪
技术参数:测试粒子粒径:用户可根据需要,在0.3~25μ m粒子粒径之间,按0.1μm的步长任意设定六个待测粒子通道光 源:激光二极管(寿命大于100000小时)一致性损失:当每立方
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粒子监测仪
单位) 探测器:Scintillation 探测器 模拟输出:0—1V,0—5V,0—10V可选,12位精度 过滤器类型:连续的玻璃纤维过滤器 采样口
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