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SDI金属污染及少数载流子寿命检测仪
技术参数:可以非接触式地测量硅片内部的少数载流子寿命与扩散长。同时可以定量与定性的量测沉降到硅与二氧化硅内部的铁,铜,钠等游离的金属污染。最高金属污染浓度分辨率可以达到1E8的级别。SDI少数载流子
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MMR变温变磁场霍尔效应测试仪器
设备明细:3-1测试范围:Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率
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瞬渺信号采集与处理WCT-120PL
WCT-120PL产品分别采用标准QSSPC方法和光致发光法测量硅片的载流子寿命。 瞬态光电导衰减法(PCD)和荧光方法两种互为补充。操作和使用起来和WCT120一样方便。 wct-120pl
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光泵浦太赫兹探测系统
中心波长~800nm 产品简介 光泵浦太赫兹探测 (OPTP) 技术是一门非常有应用前景的超快载流子研究方法。THz 有光子能量低的特性,它对半导体中载流子的变化和分布将会十分敏感
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MC镁瑞臣 瞬态表面光电压测试系统 MC-TPV355
高效率提供指导。 太阳能光催化使用的一般都是半导体光催化剂,其光催化的基本过程一般分为以下几个过程:电子空穴的产生、捕获、复合、迁移及反应。光催化剂中光生载流子的动力学过程往往进行得非常快
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das·nano太赫兹时域光谱仪ONYX
工业化水平。与其他大面积测试方法(例如四探针方法)相比,Onyx能够测量样品质量的空间分布。与显微方法(例如拉曼,SEM和TEM)不同,可以数百微米的空间分辨率快速表征大面积的样品。移动性和载流子密度
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德国Phystech RH2030霍尔效应测试仪
PHYS TECH GmbH RH2035 霍尔效应测试仪器1.设备名称:霍尔效应测试仪2.功能描述:测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数:3-1
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德国Phystech RH2035霍尔效应测试仪器
PHYS TECH GmbH RH2035 霍尔效应测试仪器1.设备名称:霍尔效应测试仪2.功能描述:测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数:3-1
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德国Phystech RH2035霍尔效应测试仪器
PHYS TECH GmbH RH2035 霍尔效应测试仪器1.设备名称:霍尔效应测试仪2.功能描述:测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数:3-1
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Ecopia HMS-3000霍尔效应测试仪
、 主要仪器参数 输入电流:1nA ~ 20mA;电阻率:10exp(-5) ~ 10exp7 Ω.cm;载流子浓度:10exp7 ~ 10exp21 cm-3;迁移率:1 ~ 10exp7 cm2
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