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逆渗透纯水机
仪器参数:产水量: 15 ~60L/H(单级反渗透)产水水质: 电阻率18.2 MΩNaN进水标准: 市政自来水(温度5-40℃,压力≥1kg/cm2)其它: zui大取水流量1.5L/min
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散粒物料堆积角/逆止角测定仪
技术参数要求:1.粒度小于6mm 的物料采用堆积角、逆止角测定仪进行测定2.振动平台:采用磁振动方式;半波模式下 振幅为0.5mm,频率为0-250Hz-任意可调节.3.堆积平板:直径1M4.下料口
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植物生长箱
植物生长箱的主要技术参数:1. 温控范围: 0~50℃2. 工作室容积:1000升3. 内胆尺寸(宽*深*高):1000*1000*1000mm4. 光源:LED冷光源。5. 光照度:0
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植物生长箱
Hettich PRC系列植物生长箱体,可对影响植物生长的环境因素,如温度、湿度、光照和二氧化碳浓度等,进行精准可靠的控制,模拟植物生长环境,方便研究人员深入研究不同环境对植物生理、生态、遗传
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植物生长灯
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石墨烯生长炉
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金属单晶生长炉
我公司研发生产的坩埚下降法生长的单晶炉设备,是一种常用的晶体生长方法又叫布里奇曼晶体生长法。把原料装在坩埚内,并通过控制加热炉体缓慢的上升,形成一个温度梯度,炉温控制在略高于材料的熔点,在通过
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JEIOTECH植物生长箱
JEIOTECH植物生长箱 性能特点一般控制系统5℃ ~ 50℃ (关灯时) / 10℃ ~ 50℃. (开灯时)GC-1000系列最大光照强度为35000 LuxGC-300系列最大光照强度为
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晶体生长炉
产品型号:SKJ-50产品简介:SKJ-50晶体生长炉 是用提拉法生长高质量氧化物单晶材料YAG,LSAT,SrLaAlO4,LaAlO3等)的设备。每位材料研究者都知道可靠的数据来源于完整性
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VGF法生长GaAs
产品名称:VGF生长法 GaAs(进口料GaAs single crystal wafer, PRIME Grade)常规尺寸:dia 2“ x 0.5mm;单抛 技术参数:生长方法:VGF法
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