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雪崩二极管(APD)
APD(雪崩二极管)是通过施加反向偏压,使其高速和高增益工作的高灵敏度光电二极管。它比PIN光电二极管相比,具有更高的信噪比,被广泛应用于光学测距仪、空间光传输、闪烁侦检器等等
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SI APD雪崩光电探测器
随时间变化0.350.450.55V/K过大噪声因素M=1002.2过大噪声指数M=1000.2光谱响应图(M=100):量子效应(23℃) 电容为反
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Terasense IMPATT雪崩二极管
下降时间高功率输出≈80mW≈30mW圆锥喇叭天线/法兰严格固定/WR-8 or WR-10严格固定/WR-6雪崩二极管技术参数: 可选项
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单光子雪崩探测器 SPAD/PDM
通信,量子纠缠等参数波段范围 400 – 1000 nm 有效探测面积直径 20μm,50μm,100μm可选暗计数 80% 独有的源自于意大利的iAQC探测技术 帕尔贴制冷 单光子雪崩
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GD6510Y雪崩探测器模块
2 最大额定值 贮存温度 -55~+100℃APD 击穿电压 70V辐照光功率 10mW模块温度传感器偏置电压 +30.0V功耗 250mW模块温度传感器测温范围 -55~+125℃模块电源电压
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超低读出噪声高速波前传感器
电子雪崩光电二极管探测器阵列e-APD array。碲镉汞电子雪崩光电二极管探测器阵列技术的采用使得高速(up to 3500Hz)和亚电子级超低读出噪声同时成为可能,并且确保了比较高的量子效率>70
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近红外单光子探测器 SPD4
: 量子调控;量子通信;半导体光特性;量子点检测;激光测距;生物发光; 近红外单光子探测器SPD4是基于InGaAs雪崩光电二极管的超灵敏探测仪器。可以探测范围
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雪崩二极管亚太赫兹产生器
雪崩二极管技术参数:ü 频率范围:80-120GHzü 可用的最低输出功率:10mWü 典型线宽:1MHzü 工作电压:15-16Vü 工作电流:110-120mAü 输入功率:2W雪崩
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InGaAs 单光子雪崩光电二极管
is clean before connecting it to opto-circuit. 专为单光子探测应用设计,盖革模式工作 MP5522型系列盖革模式InGaAs 单光子雪崩光电二极管2
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国仪量子离子阱量子计算机ION I
控制系统组成,具有超高的集成化和小型化优势,可为用户提供先进可靠的量子计算研究实验平台。 近日,国仪量子自主研制的离子阱量子计算机ION I正式启动交付,将为用户提供先进可靠的量子计算研究实验平台
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