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Avesta法拉第光隔离器
,阻挡反向光。通常由一个法拉第旋转器和两个偏振器组成。法拉第旋转器是磁光有源材料,放置在永磁体(Nd-Fe-B)中。提供二种磁光有源材料,掺铽玻璃,铽镓石榴石(TGG)晶体。 法拉第光隔离器特点
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钪酸铽(TbScO3)晶体基片
产品名称:钪酸铽(TbScO3)晶体基片产品简介:与钙钛矿结构的超导体有很好的晶格匹配,极佳的铁电薄膜衬底材料技术参数: 晶体 结构(A) 熔点oC 密度g/cm3生长方法 DyScO3
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原子吸收专用阴极灯
350.00KY-Ag银KY-Cd镉KY-Ce铈KY-Eu铕KY-Ga镓 ¥ 350.00KY-Ge锗KY-Hg汞KY-La镧KY-Nb铌KY-Nb钕KY-Pd钯KY-Pr镨 ¥
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硅酸镓镧 LGS
产品名称: 硅酸镓镧 LGS (La3Ga5SiO14) 技术参数:晶体切向: xyl/48.5°/26.7(0°,138.5°,26.7°)or (0°,22°,90°) 晶体直径
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磷化镓(GaP)晶体基片
产品名称:磷化铟(InP)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:InP掺杂:None;Sn;S;Fe:Zn硬度:3.0莫氏硬度密度:4.78 g/cm3导电类型:N;N;N;Si;P折射率:3.45
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氮化镓(GaN)晶体基片
产品名称:氮化镓(GaN)晶体基片产品简介:GaN易与AlN、InN等构成混晶,能制成各种异质结构,已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高,有效地
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锑化镓(GaSb)晶体基片
产品名称:锑化镓(GaSb)晶体基片产品简介:技术参数:单晶GaSb掺杂none;None, high R;Zn;Te;Te, high R导电类型P P- P+ N载流子浓度
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砷化镓(GaAs)晶体基片
产品名称:砷化镓(GaAs)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:砷化镓(GaAs)掺杂:None;Si;Cr;Te;Zn导电类型:Si;N;Si;N;P载流子浓度cm-3:/> 5x1017
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铟镓砷探测器
仪器简介:铟镓砷探测器 工作在0.8um-2.6um的波长范围内,提供快速响应时间、一致性好、极好的灵敏度及长时间工作的稳定性技术参数:铟镓砷探测器工作在0.8um-2.6um的波长范围内
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GaSe(硒化镓)太赫兹晶体
GaSe(硒化镓)晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域,至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体,拥有六边形结构的62m空间点群,300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高
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