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锑化镓(GaSb)晶体基片
产品名称:锑化镓(GaSb)晶体基片产品简介:技术参数:单晶GaSb掺杂none;None, high R;Zn;Te;Te, high R导电类型P P- P+ N载流子浓度
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锑化铟(InSb)晶体基片
产品名称:锑化铟(InSb)晶体基片产品简介:技术参数: 单晶 InSb 掺杂 None;Te;Ge 导电类型 N;N;P 载流子浓度cm-3 1-5x1014 1-2x1015 位错密度cm-2
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锑化铟探测器
仪器简介: ■ 锑化铟探测器(InSb) ———液氮制冷型红外探测器,波长范围:1~5.5μm 技术参数: 型号列表及主要技术指标: 型号/参数
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砷化镓(GaAs)晶体基片
产品名称:砷化镓(GaAs)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:砷化镓(GaAs)掺杂:None;Si;Cr;Te;Zn导电类型:Si;N;Si;N;P载流子浓度cm-3:/> 5x1017
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GaSe(硒化镓)太赫兹晶体
GaSe(硒化镓)晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域,至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体,拥有六边形结构的62m空间点群,300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高
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锑测定仪
,采用比色法测量吸光度,根据朗伯比尔定律,仪器自动计算锑的浓度。二、产品特点1、利用进口高性能、长寿命(10万小时)、高亮度光源,配以窄带滤光系统,光学稳定性强,不易受到各种光的干扰,因而仪器精度高
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锑测定仪
±0.5)Hz (4)无显著的振动及电磁干扰,避免阳光直射利用窄带滤光技术,产生特定单一波长,在高性能单片计算机控制下,采用比色法测量吸光度,根据朗伯比尔定律,仪器自动计算锑的浓度。1、利用进口
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硅酸镓镧 LGS
产品名称: 硅酸镓镧 LGS (La3Ga5SiO14) 技术参数:晶体切向: xyl/48.5°/26.7(0°,138.5°,26.7°)or (0°,22°,90°) 晶体直径
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磷化镓(GaP)晶体基片
产品名称:磷化铟(InP)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:InP掺杂:None;Sn;S;Fe:Zn硬度:3.0莫氏硬度密度:4.78 g/cm3导电类型:N;N;N;Si;P折射率:3.45
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氮化镓(GaN)晶体基片
产品名称:氮化镓(GaN)晶体基片产品简介:GaN易与AlN、InN等构成混晶,能制成各种异质结构,已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高,有效地
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