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CrossLab 多厂商仪器服务
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CO2低温液化系统 厂商
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硅酸镓镧 LGS
产品名称: 硅酸镓镧 LGS (La3Ga5SiO14) 技术参数:晶体切向: xyl/48.5°/26.7(0°,138.5°,26.7°)or (0°,22°,90°) 晶体直径
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Chemtron RFOZNO缓冲溶液和标准溶液(ChemTron)
pH 标准溶液订货号 型号描述RFOZNO-A125RFOZNO4M KCl, 无 Ag/Agcl, 125ml RFOZNO-A500RFOZNO4M KCl, 无 Ag/Agcl
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磷化镓(GaP)晶体基片
产品名称:磷化铟(InP)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:InP掺杂:None;Sn;S;Fe:Zn硬度:3.0莫氏硬度密度:4.78 g/cm3导电类型:N;N;N;Si;P折射率:3.45
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氮化镓(GaN)晶体基片
产品名称:氮化镓(GaN)晶体基片产品简介:GaN易与AlN、InN等构成混晶,能制成各种异质结构,已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高,有效地
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SCTRACE MSP-3000标准溶液配制机器人
;具体配置和价格,欢迎来电咨询。 MSP-3000高品质标准溶液配制机器人,为实验室提供混标配制、液体稀释、标准曲线等液体工作的一体式自动化解决方案,源于人工配液标准SOP更优于人工配液,真正实现
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MIRI GA 验证设备
MIRI GA 验证设备MIRI GA是一款由欧盟设计和制造的台式分析仪,用于对MIRI培养箱的温度、气体浓度、气体流量和气体压力进行外部验证。特点:1. 不间断验证多达6个腔室CO2/O2气体2.
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锑化镓(GaSb)晶体基片
产品名称:锑化镓(GaSb)晶体基片产品简介:技术参数:单晶GaSb掺杂none;None, high R;Zn;Te;Te, high R导电类型P P- P+ N载流子浓度
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砷化镓(GaAs)晶体基片
产品名称:砷化镓(GaAs)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:砷化镓(GaAs)掺杂:None;Si;Cr;Te;Zn导电类型:Si;N;Si;N;P载流子浓度cm-3:/> 5x1017
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