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Advanced Materials: 可调谐低损耗一维InAs纳米线的表面等离激元研究
2018-08-21来源: QUANTUM量子科学仪器贸易(北京)有限公司 -
半导体所等实现晶圆级高质量InAs纳米结构的维度调控
2019-03-05来源: 中国科学院 -
实验室分析仪器--红外光谱仪基本部件之单色器种类
2022-01-24来源: 互联网 -
新加坡国立大学合成新型近红外发光量子点,光致发光量子效率可达25%|国际用户简讯
2019-12-31来源: HORIBA科学仪器事业部 -
合成新型近红外发光量子点光致发光量子效率可达25
2020-04-27来源: 互联网 -
光磁电效应和霍尔效应的异同
情形也不一样,一个需要光照,一个不需要。利用光磁电效应可制成半导体红外探测器。这类半导体材料有Ge、InSb、InAs、PbS、CdS等。
2023-01-11来源: 互联网 -
半导体激光器的工作原理
2023-04-24来源: 互联网 -
光磁电效应和霍尔效应的异同
2023-02-02来源: 互联网 -
中科院实现硅基异质集成的片上量子点发光
2022-08-03来源: 上海微系统与信息技术研究所 -
半导体材料的主要种类介绍
2023-03-14来源: 互联网
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