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少子寿命测试采用了独特的测量和分析技术,包括准稳定态光电导(QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单、多晶硅片的重金属污染及陷阱效应,表面复合效应等缺陷情况。WCT在大于20%的超高效率太阳能电池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等
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少子寿命测试采用了独特的测量和分析技术,包括准稳定态光电导(QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单、多晶硅片的重金属污染及陷阱效应,表面复合效应等缺陷情况。WCT在大于20%的超高效率太阳能电池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等
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导衰减;表面光电压;微波光电导衰减等对于不同的测试方法,测试结果可能会有出入,因为不同的注入方法,厚度或表面状况的不同,探测和算法等也各不相同。因此,少子寿命测试没有绝对的精度概念,也没有国际认定的标准样片的标准,只有重复性,分辨率的概念。对于同一样品,不同测试方法之间需要作比对试验,但比对结果并不理想。
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产品特点:可测量太阳能多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光,直接对切割面或研磨面进行测量,仪器可按需方提供的有标称值的校准样品调试寿命值。可测量太阳能单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命,表面无需抛光、钝化。液晶屏上直接显示少子
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主要应用:分布监控和优化制造工艺其它应用:检测原始硅片的性能 测试过程硅片的重金属污染状况 评价表面钝化和发射极扩散掺杂的好坏 用得到的类似IV的开压曲线来评价生产过程中由生产环节造成的漏电。 主要特点: 只要轻轻一点就能实现硅片的关键性能测试,包括表面电阻,少子寿命,陷阱密度,发射极饱和电流密度和隐含电压。
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QSSPC方法优越于其他测试寿命方法的一个重要之处在于它能够在大范围光强变化区间内对过剩载流子进行绝对测量,同时可以结合 SRH模型,得出各种复合寿命,如体内缺陷复合中心引起的少子复合寿命、表面复合速度等随着载流子浓度的变化关系
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15~25ohm.cm,
貌似intel是20~40ohm.cm),少子寿命(life time: 200us),阻值径向梯度(Radium gradient)
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结深、耗尽层宽度 少子寿命、扩散长度等等,也就是对器件的设计、工艺进行修改和调整。扫描电镜二次电 子像可以分析器件的表面形貌,结合纵向剖面解剖和腐蚀,可以确定 PN 结的位置、结的 深度。利用扫描电镜束感生电流工作模式,可以得到器件结深
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长 度,还能测量扩散长度、少子寿命等物理参数。对于 1 nm 以下的短沟道器件检测,可用类似于测量耗尽层宽度的方法,电子束对MOS 场效应管进行扫描,得到二条柬感生电流曲线,就可得知此场效应管的沟道长度。3.失效分析和可靠性研究相当多器件的
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少子,即少数载流子,是半导体物理的概念。 它相对于多子而言。 半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数,导电中起到次要作用,则称它为少子。如,在 N型半导体中,空穴是少数载流子,电子是多数载流子;在P型