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范围宽广测试仪可直接测量: a、研磨或切割面:电阻率≥0.5Ω?cm的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命,切割片的少子相对寿命。 b、抛光面:电阻率在0.5~0.01Ω?cm范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。范 围:0.5μs~6000
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少子寿命测试采用了独特的测量和分析技术,包括准稳定态光电导(QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单、多晶硅片的重金属污染及陷阱效应,表面复合效应等缺陷情况。WCT在大于20%的超高效率太阳能电池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等
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少子寿命测试采用了独特的测量和分析技术,包括准稳定态光电导(QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单、多晶硅片的重金属污染及陷阱效应,表面复合效应等缺陷情况。WCT在大于20%的超高效率太阳能电池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等
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导衰减;表面光电压;微波光电导衰减等对于不同的测试方法,测试结果可能会有出入,因为不同的注入方法,厚度或表面状况的不同,探测和算法等也各不相同。因此,少子寿命测试没有绝对的精度概念,也没有国际认定的标准样片的标准,只有重复性,分辨率的概念。对于同一样品,不同测试方法之间需要作比对试验,但比对结果并不理想。
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少子,即少数载流子,是半导体物理的概念。 它相对于多子而言。 半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数,导电中起到次要作用,则称它为少子。如,在 N型半导体中,空穴是少数载流子,电子是多数载流子;在P型
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主要应用:分布监控和优化制造工艺其它应用:检测原始硅片的性能 测试过程硅片的重金属污染状况 评价表面钝化和发射极扩散掺杂的好坏 用得到的类似IV的开压曲线来评价生产过程中由生产环节造成的漏电。 主要特点: 只要轻轻一点就能实现硅片的关键性能测试,包括表面电阻,少子寿命,陷阱密度,发射极饱和电流密度和隐含电压。
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要点简介我们可以通过分析光致发光或荧光衰减来获得寿命。在拟合衰减时,必须考虑样品潜在的光物理过程,来评估拟合是否适当。本文,我们将使用Fluoracle®软件来对荧光衰减进行单指数、多指数和非指数拟合。● 荧光衰减可以包含多个发射
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随着太阳能电池工艺水平的不断提高,太阳能电池的少子(少数载流子)寿命也不断增加,即少子的扩散长度不断增长。当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时,背表面的复合速度对太阳能电池特性的影响就很明显。 为了提高转化效率,就得降低
2022-06-04
来源: 北京精微高博仪器有限公司
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一般汽车电瓶用的是铅酸电池,循环寿命基本上是200-500次,使用年限大概是2-4年。带自动启停功能的车子,配用的是专用电瓶,循环寿命会高一点,400-800次,使用寿命基本4-6年。新能源汽车,用的则是锂电池,寿命更长,可使用5-8年。不过在实际生活中,不同的驾驶习惯会导致电瓶寿命的明显差异,有人连维修都很少,有人却得常常换新。
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01荧光寿命是一项非常重要的光物理参数,能够提供所研究物质的能量驰豫及动力学信息,例如分子间的能量传递、分子转动及动力学猝灭。图1 单分子受激发和弛豫的雅布隆斯基简化图图1显示了单分子吸收光后从基态电子能级(S0)跃迁到第一激发态电子能级