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绝缘栅结构引进场效应晶体管(后来被称为 MISFET).1962 年,Weimer 用多晶 CaS 薄膜做成 TFT;随后,又涌现了用 CdSe,InSb,Ge 等半导体材料做成的 TFT 器件.二十世纪六十年代,基于低费用,大阵列显示的实际
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薄膜晶体管是场效应晶体管的种类之一,大略的制作方式是在基板上沉积各种不同的薄膜,如半导体主动层、介电层和金属电极层。薄膜晶体管对显示器件的工作性能具有十分重要的作用. 未来 TFT 技术将会以高密度,高分辨率,节能化,轻便化,集成化
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CuGaSe2的固溶晶体简称CIGS,薄膜的禁带宽度可在1.04-1.7范围内调整。而理想多晶体薄膜太阳能的吸收层理想的禁带宽度为1.5,可见调整Ga和In的比例,我们可以获得理想禁带宽的吸收层。
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荧光分析就是基于物质的光致发光现象而产生的荧光的特性及其强度进行物质的定性和定量的分析方法。目前,也广泛地作为一种表征技术来研究体系的物理、化学性质及其变化情况,例如生物大分子构象及性质的研究。 荧光光谱适用于固体粉末、晶体、薄膜
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明暗场成像原理:晶体薄膜样品明暗场像的衬度(即不同区域的亮暗差别),是由于样品相应的不同部位结构或取向的差别导致衍射强度的差异而形成的,因此称其为衍射衬度,以衍射衬度机制为主而形成的图像称为衍衬像。如果只允许透射束通过物镜光栏成像,称其为
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明暗场成像原理:晶体薄膜样品明暗场像的衬度(即不同区域的亮暗差别),是由于样品相应的不同部位结构或取向的差别导致衍射强度的差异而形成的,因此称其为衍射衬度,以衍射衬度机制为主而形成的图像称为衍衬像。如果只允许透射束通过物镜光栏成像,称其为
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衬度是存在差异而引起的。衍射衬度:由样品内不同区域的晶体学特征存在差异而引起的。也可以认为是由于晶体薄膜的不同部位满足布拉格衍射条件的程度有差异而引起的衬度。相位衬度:由于样品调制后的电子波存在相位差异而引起的。Z衬度:与样品微区的平均原子序数有关。
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1化学气相沉积法生产晶体、晶体薄膜 化学气相沉积法不但可以对晶体或者晶体薄膜性能的改善有所帮助,而且也可以生产出很多别的手段无法制备出的一些晶体。化学气相沉积法最常见的使用方式是在某个晶体衬底上生成新的外延单晶层,最开始它是用于制备
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薄膜晶体管是一种绝缘栅场效应晶体管.它的工作状态可以利用 Weimer 表征的单晶硅 MOSFET 工作原理来描 述.以 n 沟 MOSFET 为例,物理结构如图 2. 当栅极施以正电压时,栅压在栅绝缘层中产生电场,电力线由栅电极指向
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明暗场成像原理:晶体薄膜样品明暗场像的衬度(即不同区域的亮暗差别),是由于样品相应的不同部位结构或取向的差别导致衍射强度的差异而形成的,因此称其为衍射衬度,以衍射衬度机制为主而形成的图像称为衍衬像。如果只允许透射束通过物镜光栏成像,称其为明场像;如果只允许某支衍射束通过物镜光栏成像,则称为暗场像。