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。除 H 和 He 外,所有原子受激发后都可产生俄歇电子,通过俄歇电子能谱不但能测量样品表面的元素组分和化学态,而且分析元素范围宽,表面灵敏度高。显微AES是 AES 很有特色的分析功能。一般显微AES是先获得扫描电子微显图像(SEM
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俄歇电子能谱分析是通过检测试样表面受电子或X射线激发后射出的俄歇电子的能量分布来进行表面分析的方法,写作AES。是电子能谱分析技术之一。其原理是:用具有一定能量的电子束或X射线激发试样,使表面原子内层能级产生空穴,原子外层电子向内层跃迁
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,有机物为 1.0 ~ 3.0nm 。对大部分元素 , 俄歇峰主要集中在 20 ~1200eV 范围内 , 只有少数元素才需要用高能端俄歇峰辅助进行定性分析。尹燕萍等用595型多探针俄歇电子能谱仪测得LiNbO3的 AES 谱图 , 从而得知 LiNbO3 试样表面很干净 , 几乎没有碳峰 , 而Li 、Nb 、O 元素的特征峰十分明显。
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俄歇电子谱不能探测He元素,因为He只有一层电子,不能产生俄歇效应;X射线光电子谱不能探测He元素,X射线光电子能谱仪是使样品内层电子产生光电子,但是He只有一层电子,不能探测。
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电子。原子序数大的元素,特征X射线的发射几率较大,原子序数小的元素,俄歇电子发射几率较大,当原子序数为33时,两种发射几率大致相等。因此,俄歇电子能谱适用于轻元素的分析。如果电子束将某原子K层电子激发为自由电子,L层电子跃迁到K层,释放的能量
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电子。原子序数大的元素,特征X射线的发射几率较大,原子序数小的元素,俄歇电子发射几率较大,当原子序数为33时,两种发射几率大致相等。因此,俄歇电子能谱适用于轻元素的分析。如果电子束将某原子K层电子激发为自由电子,L层电子跃迁到K层,释放的能量
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)X射线激发俄歇电子能谱(XAES)分析在X射线电离后的激发态离子是不稳定的,可以通过多种途径产生退激发。其中一种最常见的退激发过程就是产生俄歇电子跃迁的过程,因此X射线激发俄歇谱是光电子谱的必然伴峰。对于有些元素,XPS的化学位移非常小
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, 称为俄歇化学位移。一般来说 , 俄歇电子涉及到三个原子轨道能级 , 其化学位移要比 XPS 的化学位移大得多。利用俄歇化学位移可以分析元素在该物质中的化学价态和存在形式。最初 , 由于俄歇电子能谱的分辨率低 , 化学位移的理论分析比较
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俄歇电子能谱学调查是固体表面。俄歇电子能谱通常采用电子束作为辐射源,可以进行聚焦和扫描。因此,俄歇电子能谱可用于表面微观分析,并可直接从屏幕上获得俄歇元素图像。它是现代固体表面研究的有力工具,广泛应用于各种材料的分析,催化、吸附、腐蚀、磨损等方面
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通过正确测定和解释AES的特征能量、强度、峰位移、谱线形状和宽度等信息,能直接或间接地获得固体表面的组成、浓度、化学状态等多种情报。 定性分析 定性分析主要是利用俄歇电子的特征能量值来确定固体表面的元素组成。能量的确定在积分谱中是