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由于高强度人类活动和极端降雨的影响, 黄土塬沟道侵蚀剧烈, 水土流失严重, 塬面萎缩呈逐年加剧的趋势, 对当地的生产生活和经济社会发展产生了严重影响。近几十年来, 以固沟保塬为目标的水土保持工作取得一些重要进展, 但对固沟保塬工程的
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原文地址:http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/8/507536.shtm由于高强度人类活动和极端降雨的影响, 黄土塬沟道侵蚀剧烈, 水土流失严重, 塬面萎缩呈逐年加剧的趋势, 对当地的生产生活和
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原文地址:http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/512156.shtm由于高强度人类活动和极端降雨的影响, 黄土塬沟道侵蚀剧烈, 水土流失严重, 塬面萎缩呈逐年加剧的趋势。但是,对水动力与人
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中科院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与国内外多家单位合作,首次演示了可阵列化、垂直单原子层沟道的鳍式场效应晶体管,相关成果于3月5日在《自然—通讯》在线发表。 过去几十年来,微电子技术产业沿摩尔定律取得了突飞猛进的发展,按照
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通过设计背沟道界面提高垂直薄膜晶体管的电学性能Kwang-Heum Lee a, Seung Hee Lee a, Sang-Joon Cho b, Chi-Sun Hwang c, Sang-Hee Ko Park aa
2023-04-06
来源: Park原子力显微镜
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nanowire devices for efficient power conversion”的研究论文,报道了基于多沟道技术和宽禁带半导体氮化镓(GaN)的新型纳米电力电子器件。该技术是电力电子领域和宽禁带半导体领域的重大进步,有望显著提升能量转换
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1.8HKMG技术当MOS器件的特征尺寸不断缩小45nm及以下时,为了改善短沟道效应,沟道的掺杂浓度不断提高,为了调节阈值电压Vt,栅氧化层的厚度也不断减小到1nm。1nm厚度的SiON栅介质层已不再是理想的绝缘体,栅极与衬底之间将会
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半导体制程指的是MOS管实际制造结束时的栅级引线宽度,也就是栅级多晶硅的宽度。 当然,实际中源极和漏极会有少量延伸到栅级下面,所以源极和漏极的实际分隔距离小于栅级宽度。这个有效分开距离被称为有效沟道长度,对晶体管而言是
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随着集成电路工艺制程技术的不断发展,为了提高集成电路的集成度,同时提升器件的工作速度和降低它的功耗,MOS器件的特征尺寸不断缩小,MOS器件面临一系列的挑战。例如短沟道效应(Short
Channel Effect - SCE
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可能的选择 短期内,芯片制造商们明确地会在FinFet和二维的FD-SOI技术上将节点推进到10nm。到了7nm之后,沟道上的的“门”就会上去控制,这就亟待一种全新的晶体管架构。 7nm上的一个领先竞争者就是高电子迁移率的