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使用分光光度法测量单晶光学材料的折射率
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水分活度在制药上的应用-晶体辅料
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第二章晶体的结构
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磁场光致发光谱表征二维晶体材料单光子发射性质
存在0.71meV的能量差并且该材料中存在超大激子g参数。经过分析,该单光子发射很可能是由中性激子被缺陷态束缚在二维晶体中引起的。
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