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ICP-OES 分析高纯度铟 (In)、镓(Ga) 中的杂质
来源:珀金埃尔默企业管理(上海)有限公司 相关产品:Optima 8300 ICP-OES 等离子体发射仪 应用
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GB/T 20228-2006 砷化镓单晶
GB/T 20228-2006 砷化镓单晶本标准适用于各种方法生产的砷化镓单晶,产品主要用于光电器件、微波器件、集成电路、传感元件和窗口材料等的制作。
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滨松铟镓砷(InGaAs)光电二极管综合选型指南
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煤中镓的火焰原子吸收光谱法测定
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解决方案|ICP法测定半导体行业生产用材料中镓、铁、钒、铜、钙、镁、铝、锌含量
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解决方案|ICP-OES法测定半导体材料制备工艺中镓、铁、钒、铜、钙、镁、铝、锌和硫含量
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解决方案|GBC Quantima 电感耦合等离子体发射光谱仪测定材料中的镓、铁、硫、钒、铜、钙、镁、铝、锌含量
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半绝缘砷化镓中本征缺陷的光学显微研究
来源:bluedays 资料
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结晶紫在纳米磷化镓粉体表面吸附的表面增强拉曼光谱分析
来源:L120623 资料
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利用JSM-7800F观察CP加工的太阳能电池截面
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