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在消解处理水样后加入硫脲,把砷、锑、铋还原成三价,硒还原成四价。在酸性介质中加入硼氢化钾溶液,三价砷、锑、铋和四价硒分别形成砷化氢、锑化氢、铋化氢和硒化氢气体,由载气(氢气)直接导入石英管原子化器中,进而在氩氢火焰中原子化。基态原子受特种
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氟锑酸会与水发生强烈反应甚至爆炸,若溶剂为水,则与其他强于水的酸的强度无法区分(拉平效应)。 吸入蒸气或皮肤接触会造成难以治愈的伤害。盛氟锑酸的容器必须用特氟龙(即聚四氟乙烯)的材料盛装,其他塑料会被严重腐蚀。 性状: 1、氟锑酸
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配制校准曲线汞的浓度范围为0~10.0μg/L以下按分析步骤进行,测定荧光强度,以汞的浓度为横坐标相应的荧光强度为纵坐标,绘制工作曲线。分取一定量的砷、锑标准工作液置于100ml量瓶中,加入(1+1)王水溶液25ml,酒石酸溶液约50ml,加入
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第三代 半导体材料——氮化镓( GaN),作为时下新兴的半导体工艺技术,提供超越硅的多种优势。与硅器件相比,GaN在
电源转换效率和功率密度上实现了性能的飞跃,广泛应用于 功率因数校正(PFC)、软开关 DC-DC等电源
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PTFE可以过滤水相和有机相。聚偏二氟乙烯(PVDF)蛋白结合率低,适用性广泛,可与水溶液和多种有机溶液兼容,耐氧化性和耐热性好。除以上材质,月旭科技还有聚丙烯(PP)、玻璃纤维(GF)、醋酸纤维(CA)。02直径关于直径,目前使用较多的规格
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砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5~6倍,故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的
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耦合等离子体飞行时间质谱仪(ICP-TOF MS)等产品为半导体行业无论从材料、集成电路制造还是到封装测试等各环节中痕量金属元素分析提供可靠检测方法,助力提升产品质量。本文利用ICP建立了饱和树脂中镓、铁、钒、铜、钙、镁、铝、锌元素的测定
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:2842909024、3818009006、3825690006)。 8.锑化镓(包括但不限于多晶、单晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形态)(参考海关商品编号:2853909029、3818009007、3825690007)。 (二)锗相关物项
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厚度为3毫米。自0.02~0.1毫米间,各钢片的厚度级差为0.01毫米;从0.1~1毫米间,各钢片厚度的级差一般为0.05毫米;从1毫米以上时,钢片厚度级差是1毫米。2、数字显示型楔形塞尺产品的规格有五种SDRA-10,SDRA-15
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铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池由Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒)四种元素构成最佳比例的黄铜矿结晶薄膜太阳能电池,是组成电池板的关键技术。由于薄膜太阳能电池具有光吸收能力强、发电稳定性好、能源回收周期短等诸多优势,CIGS太阳能电池逐渐成为太阳能电池行业的重要发展方向,可以与传统的晶硅太阳能电池相抗衡。