-
这是传统的刻蚀方法。把硅片浸泡在一定的化学试剂或试剂溶液中,使没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜表面与试剂发生化学反应而被除去。例如,用一种含有氢氟酸的溶液刻蚀二氧化硅薄膜,用磷酸刻蚀铝薄膜等。这种在液态环境中进行刻蚀的方法称为“湿法”刻蚀
-
仪器名称:干法刻蚀机仪器编号:16002654产地:美国生产厂家:LAM型号:LAM4520XL出厂日期:199801购置日期:201602所属单位:集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点:微纳平台固定电话:固定手机:固定email
-
离子刻蚀机,IBEHakuto 日本原装设计制造离子刻蚀机 IBE , 提供微米级刻蚀 , 满足所有材料的刻蚀 , 即使对磁性材料 , 金铜镍银铂等金属及复合半导体材料 , 这些难刻蚀的材料也能进行微米级刻蚀 .伯东离子刻蚀机 IBE
2020-11-19
来源: 伯东企业(上海)有限公司
-
等离子刻蚀机,又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀,是干法刻蚀中最常见的一种形式,其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体,由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体,从而
-
,重要性仅次于光刻机,占整体前道设备价值量的22%,该类产品一直是中微公司的营收支柱。 中微公司在年度业绩预告中表示,用于集成电路生产线的CCP(电容耦合)和ICP(电感耦合)等离子体刻蚀设备预计2023年营业收入约47亿元,较2022年
2024-01-15
来源: 科创板日报 证券时报
-
激光干涉 激光干涉终点法(IEP)是用激光光源检测透明薄膜厚度的变化,当厚度变化停止时,则意味着到达了刻蚀终点。其原理是当激光垂直入射薄膜表面时,在透明薄膜前被反射的光线与穿透该薄膜后被下层材料反射的光线相互干涉。 预报式检测
-
ICP检测结果的分析需要专业知识和相关工具的支持。以下是一些常见的ICP检测结果分析方法和步骤:1. 观察结果趋势:首先,应该观察ICP结果的趋势,以确定是否需要进一步分析。如果结果在正常范围内,那么通常不需要进一步操作。如果结果高于或
-
离子刻蚀机重庆某研究所在在氮化硅刻蚀工艺研究中采用 hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE. Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:真空腔1 set, 主体不锈钢,水冷基片尺寸1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却
2020-12-22
来源: 伯东企业(上海)有限公司
-
离子刻蚀机某薄膜磁盘制造采用Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100 用于刻蚀薄膜磁盘, 去除溅射镀制磁盘薄膜的污染物和提高薄膜的均匀性.Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 技术参数:ModelMEL3100Main
2020-11-25
来源: 伯东企业(上海)有限公司
-
:Plasmapro100系列 ICP电感耦合刻蚀机,RIE刻蚀机,Ionfab离子束刻蚀沉积,PECVD等离子加强型介质沉积,ICPCVD电感耦合等离子加强型介质沉积以及ALD原子层沉积产品介绍:随着5G技术的不断发展和普及,频谱,容量以及传输速率