单晶炉简介：　　单晶炉是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。　　

本文是半导体设备专题栏目的第 1 篇文章，介绍晶圆制造的头道工序设备——单晶炉。直拉式单晶硅生长炉是一种高效率制备硅单晶体的设备。

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b、停炉，充分冷却后拆炉　　（二）停电　　1）若炉子工作时，加热部分停电。　　a、复位控制柜面板上单晶生长控制器，使其处于手动状态。　　b、降低埚位到熔料埚位。　　c、关闭埚转。　　

可以看出，制备单晶硅的工艺要求非常苛刻，包括设备、温度控制、转速等各种影响因素。因此在前期必须做好设备设计如单晶炉和温控包括炉内的热场、流场，以及缺陷预测 。一般来说，前期的设计、优化 和预测 并不能完全依靠高成本的实验来实现。

众所周知，直拉单晶硅中含有较高浓度（浓度范围1017-1018cm-3）的间隙氧（Oi），当氮掺入直拉硅单晶中时，除了以氮-氮对（N-N）形式存在以外，氮还会和氧作用形成氮氧复合体（N-O complexes）。

本文是半导体设备专题栏目的第一篇文章，主要介绍晶圆制造的头道工序设备——单晶炉。直拉式单晶硅生长炉是一种高效率制备硅单晶体的设备。

该旋式铸造单晶硅炉由邹贵付博士领衔赛维技术团队和中科院陈仙辉院士团队合作研制，由多晶硅铸锭炉改造而成，单炉硅锭重量可达1200公斤。相比传统直拉单晶硅, 旋式铸造单晶硅炉生产的“铸造单晶”生产成本要低20%，耗能也仅为前者的23%。　　

该方法解决了现有清洗方法不能彻底清洗单晶硅炉炉内的水垢，或清洗时可能造成单晶硅炉内中其他材质损坏的问题。 　　

用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。 制备方法：熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。