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牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用固体激光器InP刻蚀
PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。
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牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用III-V族材料的刻蚀工艺
PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。
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牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用射频器件低损伤GaN刻蚀
PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。
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牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用硅 Bosch和超低温刻蚀工艺
PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。
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牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备
PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。
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牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
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镀膜机PlasmaPro 100 PECVD等离子体增强化学气相沉积系统 可检测Power
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牛津仪器等离子体增强化学气相沉积系统镀膜机 应用于纳米材料
, AlGaN,等) GaN、AlGaN等的预生产和研发工艺,比如HBLED和其它功率器件的刻蚀高品质,高速率SiO2沉积,应用于光子器件金属(Nb, W)刻蚀 zei新的单晶片刻蚀技术
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牛津仪器镀膜机等离子体增强化学气相沉积系统 纳米材料生长和表征
, AlGaN,等) GaN、AlGaN等的预生产和研发工艺,比如HBLED和其它功率器件的刻蚀高品质,高速率SiO2沉积,应用于光子器件金属(Nb, W)刻蚀 zei新的单晶片刻蚀技术
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镀膜机等离子体增强化学气相沉积系统牛津仪器 适用于Nano Material
预生产和研发工艺,比如HBLED和其它功率器件的刻蚀高品质,高速率SiO2沉积,应用于光子器件金属(Nb, W)刻蚀 zei新的单晶片刻蚀技术-PlasmaPro100 Sapphire。牛津仪器
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